ARK（成都方舟微电子有限公司）作为国内领先的模拟功率器件设计公司，国内设计生产耗尽型MOSFET的企业，2013年开始一直向华为、三星、LG、小米等各大品牌手机充电器提供具有特殊功能的MOSFET。
公司自主研发的专利产品60V-100V系列及600V系列耗尽型MOSFET受到市场广泛欢迎，销量已达数亿只。目前，已被PI、IWATT、ON、昂宝、硅动力、康源、立琦等多家主IC方案商普遍选用。
该两系列产品主要针对QC2.0/3.0/4.0快充系统，USB Type-C PD电源系统的应用，专为宽电压输出的PD和QC充电器的PWM IC提供稳定电源。可靠性高，成本低、体积小、为用户轻松构筑快充安全应用的坚固防线。该系列主要包括以下六款型号的产品：DMZ0615E/DMX0615E；DMZ0622E/DMX0622E；DMZ1015E/DMX1015E。
采用QC和Type-C PD充电协议的快速充电器具有宽电压、大电流输出，可以实现手机电池的快速充电。Type-C PD快速充电器可提供3.3V~20V的充电电压以及最高5A的充电电流，输出功率可达100W。
采用06系列和10系列的超高阈值电压耗尽型MOSFET可替代齐纳二极管等最多5颗器件进行钳位保护的传统方案，不仅简化了方案，减少PCB 占用空间和面积，也节约了BOM 成本。
图1.采用传统的三极管电压调节器Type-C PD充电器原理
图2.采用DMZ0615E/DMZ1015E为Type-C PD充电器PWM IC供电06系列超高阈值电压耗尽型MOSFET 为：漏源击穿电压为 70V 的DMZ0615E/DMX0615E，其中 DMZ0615E 采用紧凑的 SOT-23 封 装；DMX0615E 采用 SOT-89 封装，具有更大的耗散功率。DMZ0622E 和 DMX0622E，分别采用 SOT-23 和 SOT-89 封装，具有更高的阈值电压。
10系列超高阈值电压耗尽型MOSFET为：漏源击穿电压为 100V 的 DMZ1015E/DMX1015E。DMX1015E采用 SOT-89 封装且阈值电压最高达 27V，更适合大功率的充电器应用。
ARK独特的耗尽型MOSFET在充电头中除PWM IC供电系列外，还有更多产品线。
15系列高阈值电压耗尽型MOSFET：适用于同步整流IC供电并进行钳位保护的15系列，DMZ1521E其漏源击穿电压为150V，阈值电压为-5V~-7V，DMZ1521E采用SOT-23封装。
DMZ6005高压耗尽型MOSFET长期应用在SMPS 启动电路中：在PWMIC启动阶段，通过DMZ6005E给PWM IC供电，进入稳态工作状态后，DMZ6005E关断，从而降低系统功耗。
采用耗尽型 MOSFET DMZ6005实现的 SMPS 启动电路，具有如下优点：
1、极宽的输入电压范围；
2、启动完成后，启动电路切断，功耗可忽略不计，提高了系统效率；
3、器件发热低，PCB 布局紧凑，提高了系统可靠性。采用DMZ6005启动方案，可以克服传统启动电路中系统效率低，输入电压范围窄，PCB 板承受较高热量，体积大等缺点。
关于方舟微
ARK（成都方舟微电子有限公司）是国家高新技术企业、国家集成电路设计企业，所有产品均为完全自主研发，相关技术已获得发明专利等证书。产品以高稳定性、高可靠性、低成本特点得到国内外客户的普遍认可。
ARK将携为快充定制研发的多款系列产品，以及高效的电源电路保护解决方案参加2021（春季）USB PD＆Type-C 亚洲展展会。
欢迎同行大咖届时莅临F07展位，共商新一代充电器发展规划与技术策略。
