ASML谈EUV光刻的过去、现在和未来

ASML谈EUV光刻的过去、现在和未来
2021年03月27日 09:39 半导体行业观察

编者按:极紫外(EUV)光刻技术自20世纪80年代中期以来已经取得了长足的进步。2019年,首款由EUV光刻制造芯片的商用智能手机投入使用,这表明EUV已经进入大批量生产阶段。在本视频中,首先将简要回顾光刻机和相应基础设施中有已被克服诸多技术障碍。接下来,将介绍0.33数值孔径光刻机的现状和基础设施,以及它对半导体行业的影响。EUV技术的下一步将是实现0.55数值孔径EUV光刻机,该项目正在进行中。在完成第一台NA=0.55光刻机后,预计在光刻机、掩模和光刻胶方面将有进一步的创新,它们将进一步降低k1系数,并使收缩率在下一个十年得以延续。进一步地,向更小波长/更大数值孔径的转变也都在探索之中,它们将带来重大的技术和业务挑战。

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