第58课 电力MOSFET的导通电阻
阿尔法和欧米茄半导体有限公司宣布推出AON7280和AON7290的最新补充到新的80V和100V AlphaMOS的?中压组合。这些新产品非常适合于广泛的应用，其中包括二次侧同步整流DC / DC，AC / DC转换器，POL模块，用于电信系统，POE网络应用程序。
使用专有的AOSAlphaMOS技术，AON7280的80V和100V AON7290提供超低
RDS
的27％和10％，比主要竞争对手，分别构建。的低导通电阻减小导通损耗，并允许器件工作在较低的温度下。这是不影响开关性能的两个设备提供最低的
RDS
*
COSS
的行业。这些解决方案被打包在绿色DFN3.3×3.3封装，电路板空间的关键应用提供电路设计的灵活性。
“在狭小的空间中构建高效的电源解决方案，设计人员在更小的封装的高性能MOSFET小号。“斯蒂芬说，在AOS的高级产品营销经理张。“AON7280和AON7290结合了高密度AlphaMOS技术，具有结构紧凑DFN3.3×3.3封装，以满足那些设计师。“
AON7280技术要点
80V N沟道MOSFET
RDS
COSS= 265 pF的典型
QG（10V）= 26 NC（典型值）
最低
RDS
* Qg和数字的优点在市场上
最低
RDS
*
COSS数字的优点在市场上100％的Rg和UIS测试
AON7290技术要点
100V N沟道MOSFET
RDS
COSS= 175 pF的典型
QG（10V）= 26.5 NC（典型值）
最低
RDS
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COSS数字的优点在市场上100％的Rg和UIS测试
阿尔法和欧米茄半导体有限公司宣布推出AON7280和AON7290的最新补充到新的80V和100V AlphaMOS的?中压组合。这些新产品非常适合于广泛的应用，其中包括二次侧同步整流DC / DC，AC / DC转换器，POL模块，用于电信系统，POE网络应用程序。
使用专有的AOSAlphaMOS技术，AON7280的80V和100V AON7290提供超低
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的27％和10％，比主要竞争对手，分别构建。的低导通电阻减小导通损耗，并允许器件工作在较低的温度下。这是不影响开关性能的两个设备提供最低的
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的行业。这些解决方案被打包在绿色DFN3.3×3.3封装，电路板空间的关键应用提供电路设计的灵活性。
“在狭小的空间中构建高效的电源解决方案，设计人员在更小的封装的高性能MOSFET小号。“斯蒂芬说，在AOS的高级产品营销经理张。“AON7280和AON7290结合了高密度AlphaMOS技术，具有结构紧凑DFN3.3×3.3封装，以满足那些设计师。“
AON7280技术要点
80V N沟道MOSFET
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COSS= 265 pF的典型
QG（10V）= 26 NC（典型值）
最低
RDS
* Qg和数字的优点在市场上
最低
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COSS数字的优点在市场上100％的Rg和UIS测试
AON7290技术要点
100V N沟道MOSFET
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COSS= 175 pF的典型
QG（10V）= 26.5 NC（典型值）
最低
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COSS数字的优点在市场上100％的Rg和UIS测试
