国内首款 TO-252 -500V/4A P沟道高压小电流MOSFET-VBE25R04

国内首款 TO-252 -500V/4A P沟道高压小电流MOSFET-VBE25R04
2025年06月20日 14:45 科技前沿圈儿

在工业电源与智能家电的隐秘角落,一场关于高压功率密度的革命正在悄然发生。VBE25R04——国内首款采用TO-252封装的-500V/4A P沟道MOSFET,以小身躯承载工业级高压性能,为LED驱动、智能电表等场景带来颠覆性变革。

一、技术破壁

1. 高压器件的"瘦身革命"

-500V耐压突破:在仅6.5×6.2mm的TO-252封装内实现-500V阻断电压,比传统TO-220方案节省70%空间

4A电流密度:通过新型平面工艺优化,单位面积电流承载能力达竞品1.8倍

实测对比:在LED驱动应用中,PCB面积从45cm²缩减至28cm²,BOM成本降低22%

2. 能效与可靠性的精妙平衡

3900mΩ@10V导通电阻:比行业平均低15%,在2A工作电流下温升仅18℃

-3V阈值电压:兼容3.3V/5V控制信号,省去电平转换电路

极端环境验证:通过1000次-55℃~150℃冷热冲击测试。

二、应用场景

▌ 智能LED照明系统

单颗驱动100W高压LED串,替换原有"MOSFET+光耦"复杂架构

支持0-100% PWM调光,频闪控制达IEEE 1789-2025标准

客户案例:某户外照明厂商故障率从3%降至0.2%

▌ 工业辅助电源

简化反激式拓扑,在PLC模块中实现93%转换效率

4A峰值电流满足电机刹车瞬间能量回馈需求

▌ 家电安全控制

-500V耐压完美适配空调压缩机驱动电路

待机功耗

三、产品参数

四、未来布局

2026年规划:推出-600V/6A TO-252版本,冲击工业电机驱动市场

智能封装:集成电流传感功能,实现芯片级故障诊断

VBE25R04的意义不在于参数碾压,而在于它重新定义了高压器件的应用边界,就像智能手机的芯片集成革命一样,我们正在让高压电路设计进入'微型化时代'。

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