三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“我们非常高兴推出业界首款第九代V-NAND产品，它将为未来应用带来显著飞跃。为了满足不断演进的NAND闪存解决方案需求，我们在下一代产品的单元架构和操作方案上进行了突破。通过最新的V-NAND，三星将持续引领高性能、高密度固态硬盘市场潮流，以满足即将到来的人工智能时代的需求。”
与上一代V-NAND相比，第九代V-NAND的单位面积存储密度提高了约50%，这得益于行业内最小的单元尺寸和最薄的模具层。为了提升产品质量和可靠性，三星采用了新的创新技术，诸如避免单元干扰和延长单元寿命，同时取消备用通道孔则大幅减少了存储单元的平面面积。
此外，三星在新一代闪存上应用了通道孔刻蚀技术，该技术通过堆叠模具层来创建电子通路，并在双栈结构中实现行业最高单元层数的同时钻孔，从而最大化制造效率。随着单元层数增加，穿透更高层数单元的能力变得至关重要，这要求更为精密的刻蚀技术。
第九代V-NAND采用了新一代Toggle 5.1闪存接口，让数据传速速度提升33%，高达3.2Gbps。新的接口可为最新的PCIe 5.0 SSD提供足够的性能带宽保障。与上一代产品相比，第九代V-NAND在低功耗设计方面也有改进，其功耗降低了10%，可使SSD变得更为节能。
三星已于本月启动1Tb TLC第九代V-NAND的大规模生产，随后将于今年下半年推出QLC的型号。
