尽管三星仍在为12层堆叠的HBM3E获得英伟达认证而努力，但是并没有放慢下一代HBM产品的开发步伐。早些时候有报道称，三星将在年底前流片HBM4，属于第六代HBM产品，此举被认为是为2025年底大规模生产奠定基础。
早在数月前，面对日益增长的市场需求和内存行业的持续复苏，三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，目标是在2025年6月开始量产。据TrendForce报道，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，以便在平泽P4工厂建造1cnm DRAM生产线，预计2025年第一季度开始进行安装，为HBM4量产铺平道路。
其实之前三星就已组装了1cnm工艺的DRAM生产线，不过仅限于试产，而且还取得了不错的进展。如果1cnm DRAM生产线运转良好，且能获得稳定的收益率，那么三星还可能追加额外的投资，进一步扩大产能。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，领先于现有第五代10nm级别的1bnm，预计明年开始全面进入商业化生产。
三星的HBM4为12层垂直堆叠，打算选择4nm工艺生产基础裸片，并采用1cnm工艺制造DRAM芯片。三星目前采用10nm工艺生产HBM3E的基础裸片，在新一代HBM4上换成4nm工艺可以增强其在HBM领域的竞争优势。三星希望在HBM4量产上可以追上SK海力士，重新夺回HBM市场的领导地位。
