美光成业内第一家宣布量产1Znm工艺内存厂商

美光成业内第一家宣布量产1Znm工艺内存厂商
2019年08月16日 21:40 天极网

【天极网DIY硬件频道】美光公司日前宣布量产1Znm工艺的16Gb DDR4内存,1Znm工艺的第三代内存量产,让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司,比三星公司要快。

美光表示,与上一代1Ynm制程相比,1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本。美光没有给出具体的数据,性能提升多少、成本降低多少尚无确切数据,唯一比较确切的是1Znm 16Gb DDR4内存比前几代8Gb DDR4降低大约40%的功耗。

根据美光公布的路线图,1Znm之后还会有1αnm、1βnm、1γnm,这样10nm级别就有六种制造工艺。由于制造难度越来越高,内存在进入20nm之后,内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽,而是分成了1X、1Y、1Z。大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm级别。

美光还宣布批量出货基于UFS多芯片封装uMCP的、业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存,满足了业界对低功耗及更小封装的的要求。

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