摘要
1. 一个系列：必易微高集成电源芯片KP223XX系列芯片组成P2P家族，实现18~30W功率段全覆盖;
2. 一个封装：面对PD快充更大功率需求，传统SOP8封装无法满足要求，必易微ASOP-6封装带来更优散热性能；
3. 一套方案：18~30W快充电源套片方案，实现P2P共板升级，助力快人一步;
背景
随着快充市场的细分展开，25W和30W大功率 PD快充需求不断增加，又一次功率升级，就要求更高的效率，更好的散热性能，现阶段SOP8 封装由于散热面积小，导热能力差，无法满足大功率的需求。客户选用控制器加外置MOS的方案，就需要占用PCB板上更大的空间，无法满足PD小体积的要求；同时升级换代需要大量的重新设计、验证及认证工作，时间和人力投入相当大，也拖慢了产品迭代进度。
必易微KP223XX就是这样一款提供高可靠性、高集成度、高效率的高性能芯片，使用更优的散热封装，针对18~30W快充市场，满足客户迫切需求的芯片。
必易微发挥集成电路研发和系统集成优势，以高效率，高集成度为核心竞争力。针对18W~30W PD快充市场，推出的KP223XX系列+KP40562系列高集成PD方案，在集成开关管的原边控制芯片和集成同步整流管的同步整流芯片。这套方案具备很强的竞争力，已经成功打入多款快充供应链并大量出货。
必易微初级芯片KP223XX支持宽范围供电，无需外部增加电路，即可满足3.3-12V的宽范围电压输出。创新的ASOP6封装相比SOP8有效提升散热性能，解决了一大市场痛点。内部具有高精度80kHz开关频率振荡器，且带有频率调制和电流峰值调制功能，可优化EMI性能。芯片结合准谐振控制模式，绿色节能模式和打嗝模式工作，全范围优化效率，实现待机功耗小于30mW，满足六级能效要求，并且集成全面的保护功能。同时，内封高压MOS从0.5Ω~1.7Ω搭配不同MOSFET形成P2P家族，面对复杂的PD市场，适应不同客户的需求。
必易微KP40562是一款用于反激拓扑的同步整流芯片，支持高侧和低侧使用，支持DCM和QR工作模式，内置供电模块，无需辅助绕组为芯片供电。KP40562内部集成VDD欠压保护，内置60V耐压8mΩ同步整流管，适用于PD快充适配器和固定电压输出的适配器。
必易微KP223XX系列P2P兼容，实现18~30W无缝升级。必易微为客户设计的18~30W共板兼容方案，一个芯片：芯片P2P兼容；一块PCB：共板兼容，一个尺寸：尺寸兼容；实现在覆盖18~30W PD快充，帮助客户产品实现快速不同功率段升级更新。
18~30W快充共板方案：
让我们来看下，KP22315+KP40562 25W方案的性能：KP22315内置0.5Ω功率管，具有优异的温升性能，让其能够实现更高的效率，满足更大功率要求。
25W原理图：
25W实物样机：
25W样机待机测试：优异的待机性能
25W方案 待机损耗
25W样机效率测试：优异的效率表现，满载效率远超CoC V5;
25W满载效率
25W样机温升测试：90Vac 25W,KP22315芯片 温升61度；
KP22315WGA90Vac25W温升
25W样机纹波测试：最大纹波110mV，远超安规要求。
优异的纹波性能
25W样机原副边应力均满足要求：
25W样机传导和辐射均满足标准要求：裕量充足；
传导测试：
辐射测试：
总结
必易微KP223XX+KP40562高集成芯片通过将功率管集成在芯片中的设计，极大简化了充电器的电路设计，高性能的功率管降低了散热需求，同时精简的元件数量也降低了充电器的成本。
必易微ASOP6封装原边芯片KP223XX系列形成提供覆盖18~30W的全系列高集成度电源芯片家族。方案P2P，共板替换，性能优，为客户升级带来一站式解决方案。
同步整流解决方案，必易微推出了KP40561和KP40562，能适应CCM工作模式适用于30W包含12V输出的PD快充；必易微有KP40511、KP40512和KP40512M系列产品，内置100V MOSFET，支持CCM工作模式，适用于30W包含20V输出的PD快充。
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