充电头网了解到，Alpha&Omega Semiconductor Co., Ltd.(简称AOS)成立于2000年9月，纳斯达克IPO 2010.4(AOSL)，总部位于美国加利福尼亚州的硅谷，是全球一家集半导体设计、晶圆制造、封装测试为一体的从事功率半导体的研发和生产的高新技术企业。2023年全球总员工人数达2400余人，主要产品包括完整的Power MOSFET、IGBT、IPM、TVS、SiC、Power IC、高压栅极驱动器以及数字电源产品系列。
截至2023年9月，AOS拥有全球1909项专利以及161项待批专利，业界独特功率MOSFET技术，能够不断地引入创新产品，扩大市场占有率以及行业内快速成长，以满足先进电子产品日益复杂的功率要求。目前AOS在全球设立了研发、生产及经营网络，包括美国、台湾、韩国研发中心，位于美国俄勒冈州的8寸晶圆厂，上海松江封装及测试厂以及与重庆政府合作的国内第一条功率器件12寸晶圆及封测厂。在CEO张钧平的带领下，AOS已经进入高速发展的阶段，并成为功率半导体市场的主力军。
AOS万国历年拆解案例
最近，充电头网在整理历年拆解案例时，发现AOS万国旗下多款NMOS以及PMOS进入苹果、谷歌、思科、联想、小米等多久国内外知名品牌供应链，实际拆解案例超百款，获得多家厂商的一致好评。有关详细参数以及应用案例，小编将在下文为您详细介绍。
AOS NMOS
AOS AO4262E
AOS AO4262E是一颗耐压60V的NMOS，导阻为5.2mΩ，采用SOIC-8封装。
应用案例：
AOS AO4406A
AOS AO4406A是一颗NMOS，耐压30V，导阻9.5mΩ，采用SO8封装。
应用案例：
AOS AOD280A60
AOS AOD280A60是一颗耐压700V，导阻小于0.28Ω的NMOS，采用TO-252封装。
应用案例：
AOS AOD66920
AOS AOD66920是一颗耐压100V，导阻6.7mΩ的NMOS，采用TO252贴片封装。
应用案例：
AOS AON6144
AOS AON6144是一颗NMOS，耐压40V，导阻2mΩ，采用DFN5*6封装。
应用案例：
AOS AON6220
AOS AON6220是一颗NMOS，耐压100V，导阻5.1mΩ，采用DFN5*6封装。
AOS AON6250
AOS AON6250是一颗耐压150V的NMOS，导阻16.5mΩ，采用DFN5*6封装。
应用案例：
AOS AON6276
AOS AON6276是一颗NMOS，耐压80V，导阻2.2mΩ，采用DFN5*6封装。
应用案例：
AOS AON6354
AOS AON6354是一颗NMOS，耐压30V，导阻2.75mΩ，采用DFN5*6封装。
AOS AON6512
AOS AON6512是一颗NMOS，耐压30V，导阻为1.4mΩ，采用DFN5*6封装。
AOS AON6576
AOS AON6576是一颗NMOS，耐压30V，导阻3.9mΩ，采用DFN5*6封装。
应用案例：
AOS AON7140
AOS AON7140是一颗NMOS，耐压40V，导阻1.9mΩ，采用DFN3.3*3.3封装。
应用案例：
AOS AON7200
AOS AON7200是一颗耐压30V的NMOS，导阻6.7 mΩ，采用DFN 3*3封装。
应用案例：
AOS AON7264E
AOS AON7264E是一颗耐压60V的NMOS，导阻7.7mΩ，采用DFN3*3封装。
AOS AON7400A
AOS AON7400A是一颗NMOS，耐压30V，导阻6.2mΩ，采用DFN3*3 EP封装。
应用案例：
AOS AON7404G
AOS AON7404G是一颗耐压20V的NMOS，导阻4.4mΩ，采用DFN3*3封装。
应用案例：
AOS AON7428
AOS AON7428是一颗耐压30V的NMOS，导阻2.3MΩ，采用DFN3.3*3.3封装。
应用案例：
AOS AON7534
AOS AON7534是一颗NMOS，耐压30V，导阻4.1mΩ，采用DFN3*3封装。
AOS AON7544
AOS AON7544是一颗NMOS，耐压30V，导阻4.1mΩ，采用DFN3*3封装。
AOS AONR34332C
AOS AONR34332C是一颗NMOS，耐压30V，导阻1.3mΩ，采用DFN3.3*3.3封装。
应用案例：
AOS AONR66406
AOS AONR66406是一颗耐压40V的NMOS，导阻5mΩ，采用DFN3*3封装。
应用案例：
AOS AONS1R6A70
上图左侧一颗丝印1R6A70为AOS AONS1R6A70，是一颗耐压800V的NMOS，导阻1.3Ω，采用DFN5*6F封装。
应用案例：
AOS AONS36314
AOS AONS36314是一颗NMOS，耐压30V，导阻2.4mΩ，采用DFN5*6封装。
应用案例：
AOS AONS62920
AOS AONS62920是一颗耐压100V的NMOS，导阻6.3mΩ，采用DFN5*6封装。
应用案例：
AOS AONS62922
AOS AONS62922是一颗耐压120V的NMOS，导阻为5.8mΩ，采用DFN5*6封装。
AOS AONS66406
AOS AONS66406是一颗NMOS，耐压40V，导阻5mΩ，采用DFN5*6封装。
AOS AONS660A70F
上图右侧丝印660A70F的MOS管实际型号为AOS AONS660A70F，是一颗耐压800V的NMOS，导阻550mΩ，采用DFN5*6F封装。
应用案例：
AOS AONS66916
AOS AONS66916是一颗耐压100V的NMOS，导阻3mΩ，采用DFN5*6封装。
应用案例：
AOS AONS66917
AOS AONS66917是一颗耐压100V的NMOS，导阻2.9mΩ，采用DFN5*6封装。
应用案例：
AOS AONS66940
AOS AONS66940是一颗NMOS，耐压100V，导阻6.7mΩ，采用DFN5*6封装。
应用案例：
AOS AONS66947
AOS AONS66947是一颗耐压100V的NMOS，导阻2.9mΩ，采用DFN5*6封装。
应用案例：
AOS AONV180A60
AOS AONV180A60是一颗耐压700V的NMOS，导阻160mΩ，采用DFN8*8封装。
应用案例：
AOS AOTF4N60
AOS AOTF4N60是一颗耐压700V，导阻1.9Ω的NMOS，采用TO220F封装。
应用案例：
AOS AOTF10N65
AOS AOTF10N65是一颗NMOS管，耐压650V，采用TO-220F封装。
应用案例：
AOS AOTL125A60
AOS AOTL125A60是一颗NMOS，耐压700V，导阻111mΩ，采用TOLL封装。
应用案例：
AOS AOTL66810
AOS AOTL66810是一颗NMOS，耐压80V，导阻1mΩ，采用TOLLA封装。
应用案例：
AOS AOY66920
AOS AOY66920是一颗NMOS，耐压100V，采用TO-251B封装。
应用案例：
AOS AOY66923
AOS AOY66923是一颗NMOS，耐压100V，导阻9.2mΩ，采用TO251B封装。
应用案例：
AOS PMOS
AOS AOD409
AOS AOD409是一颗PMOS，耐压60V，导阻32mΩ，采用TO252封装。
应用案例：
AOS AOI423
AOS AOI423是一颗耐压30V的PMOS，导阻6.2mΩ，采用TO251A封装。
应用案例：
AOS AONR21357
AOS AONR21357是一颗PMOS，耐压30V，导阻6.3mΩ。
应用案例：
AOS AONS21357
AOS AONS21357是一颗PMOS，耐压30V，导阻6.3mΩ，为DFN5*6封装。
应用案例：
充电头网总结
AOS万国半导体作为一家致力于功率半导体研发和生产的高新技术企业，已经成为全球功率半导体市场的主力军，其独特的功率MOS技术使得AOS为行业带来高效、低损耗的产品，以满足各类高功率电子设备的苛刻要求，成功获得苹果、索尼、思科、谷歌等国际知名品牌认可。
目前，AOS万国半导体在功率器件领域拥有着广阔的市场空间和巨大的发展潜力。AOS旗下产品线丰富，在桌面充电器、车载充电器、电源适配器、汽车电子、移动电源、灯光照明、平板电视等领域都可以发现AOS万国的身影。未来，AOS万国半导体还将紧随新能源汽车、通信、储能、AI等领域的发展机遇，致力在功率半导体领域继续保持领先地位，为全球电子产品的发展贡献杰出力量。
展会预告
AOS万国参加充电头网主办的2024（秋季）亚洲充电展，展位在A区A5，9月20日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
