一文了解氮矽经典应用案例_

氮化镓作为宽禁带半导体材料，有高频率、高效率、高功率密度等优势，相比传统硅材料，能让电力电子设备性能和可靠性大幅提升，可大幅降低电源适配器发热和整体体积，可以有效助力厂商提升产品功率密度。

为应对快充行业对氮化镓器件的市场需求，氮矽先后推出多款氮化镓开关管以及氮化镓集成芯片，并获成功导入多家快充工厂供应链。

充电头网了解到，氮矽科技自成立以来，公司始终专注于研发与销售全方位氮化镓产品，以瞄准新能源与国家先进基础产业为方向，打造全国产氮化镓产品线。公司分别在成都和深圳设立研发与营销中心，为各应用领域客户提供高性能、高可靠性的解决方案。

氮矽科技始终将科研能力作为立身之本，在氮化镓领域打破国际厂商垄断。公司先后推出“E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP®（Power integrated in package）和PWM GaN”四大产品线，广泛应用于消费电子、数据中心、锂电池以及新能源汽车等领域。致力于引领氮化镓的革命性突破, 共创绿色未来。

2024年度氮矽应用案例

文中出现的应用案例如上表所示，下文小编将为您详细介绍。

氮化镓开关管

氮矽DX65F130

氮矽DX65F130是一颗650V耐压的增强型氮化镓开关管，导阻130mΩ，采用DFN8*8封装。DX65F130支持2.5V-6.5V驱动电压，相较同行同类型GaN-MOS只能支持大于5V驱动，有很好的宽电压驱动优势。

应用案例：

氮矽DX65F200

氮矽DX65F200是一颗耐压650V的增强型氮化镓开关管，导阻200mΩ，最大连续电流为10A。器件具有简化的栅极驱动要求，只需0-6V驱动电压，无需负压驱动。极低的栅极电荷支持10MHz以上的超高开关频率，具有可控制且快速的上升下降时间，无反向恢复损耗。

应用案例：

氮化镓集成芯片

氮矽DXP8001FA

氮矽科技氮化镓集成芯片DXP8001FA内部集成650V 200mΩ氮化镓开关管和高频反激控制器，用于PD快充适配器应用。芯片支持9-85V供电电压范围，覆盖PPS和PD快充的3.3-21V输出电压，无需额外的供电绕组和降压电路。

氮矽科技DXP8001FA采用自适应多模式控制，支持DCM和QR工作模式，并支持突发模式提升能效。芯片内部集成丰富的保护功能，包括输出过电压保护，供电过电压保护，BROWN IN/OUT保护，取样电阻短路保护。

氮矽科技DXP8001FA采用DFN8*8封装，有效降低芯片温升。通过集成氮化镓开关管和控制器，提升了转换效率，功率密度，可靠性以及开关频率，降低寄生参数对系统的影响，并减少元件数量，简化快充电源设计。

应用案例：

充电头网总结

上文中提到的氮矽DX65F130、DX65F200两款氮化镓分离器件均具备栅极驱动极简、开关频率高、无反向恢复损耗等优秀的特性，可以完美取代传统硅器件，有效提升整机效率。此外，氮化镓集成芯片DXP8001FA还在分离器件的基础上集成了高频反激控制器，内置多模式控制以及全方位保护等功能，能够有效减少PCB板空间占用，降低温升，非常适合PD快充应用。

另外，氮矽科技作为国内首屈一指的氮化镓功率器件厂商，曾经率先推出PDDFN4x4mm封装的650V/160mΩ氮化镓功率器件，成为业内同系列产品中封装面积最小的产品。最近，氮矽科技还针对TV领域以及工业级领域推出多款氮化镓器件，致力实现氮化镓器件的国产化替代。