前言
近日，Apple Store上架了两款 mophie 出品的氮化镓充电器，型号分别为 Speedport 30 和 Speedport 67，输出功率分别为30W和67W，两款充电器均采用单USB-C口设计，且均附赠一根 2米 C to C 线缆。
mophie Speedport 30 相比苹果公司经典的5W“小方块”充电器，尺寸略微增加，功率大幅提升至30W；而 mophie Speedport 67 相比苹果67W适配器，在输出功率相同的情况下，体积大幅缩小，完美搭配苹果各种设备的充电功率规格。
英诺赛科InnoGaN介绍
充电头网获悉，mophie Speedport 30 和 Speedport 67 两款氮化镓充电器均采用英诺赛科GaN功率器件，Speedport 30 内置英诺赛科 INN650DA04，Speedport 67 内置英诺赛科INN650D02。下面充电头网为大家介绍这两款英诺赛科GaN功率器件的特色亮点。
英诺赛科 INN650DA04 采用 DFN5*6mm 封装，耐压650V，导阻480mΩ（max），具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，能够实现小体积、高效率的充电器设计。
充电头网通过拆解了解到，英诺赛科 INN650DA04 此前已获努比亚、黑鲨、绿联、网易、REMAX、TEGIC、图拉斯、鹏元晟、古石等品牌的众多氮化镓充电器产品采用，品质获市场高度认可。
英诺赛科 INN650D02 同样采用 DFN5*6mm 封装，耐压650V，瞬态耐压达750V，支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，适用于开关电源、DC-DC转换、图腾柱PFC、电池快充、高能效高功率密度功率转换应用。
值得一提的是，英诺赛科 INN650D02 的升级款 INN650DA260A 此前已被安克、绿联、倍思、尚巡、创富源等品牌的氮化镓产品采用，获得客户认可。
英诺赛科 INN650DA04 和 INN650D02 采用的 DFN5*6mm 封装，相比传统TO220封装，寄生电感呈指数级减小，可以支持更快的开关速度和更高的工作频率，同时占板面积非常小。有利于高功率密度快充设计。
传统硅MOS通过D极散热，不仅面积较大，而且噪声辐射较大，而英诺赛科 INN650DA04 和 INN650D02 采用S极散热，D极面积可以做到很小，噪声远小于硅MOS，具有EMC优势。
充电头网总结
mophie 两款氮化镓充电器目前已在海外 Apple Store 和 mophie 自营的 Zagg 零售网站独家销售，Speedport 30 售价为44.95美元，Speedport 67 售价为69.95美元。而 Speedport 30也在中国大陆地区 Apple Store 同步上架销售，售价为328元。
此次采用英诺赛科 InnoGaN 产品的两款氮化镓充电器上架 Apple Store，不仅标志着英诺赛科氮化镓功率器件打入苹果合作伙伴 mophie 供应链， 同时表明英诺赛科氮化镓功率器件品质满足苹果的严苛标准。
在半导体国产化的大时代背景下，借助USB PD普及的东风，英诺赛科InnoGaN系列产品在消费类电源大放异彩，为客户推出先进的氮化镓解决方案，并与合作伙伴共同推出优秀的氮化镓应用方案，助力第三代半导体器件普及。
作为一家全球领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科自建有技术领先的8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线，涵盖40V到650V全电压产品；其苏州生产基地于去年6月通线投产，规划满产能每月可达65000片8英寸硅基氮化镓晶圆。当前苏州与珠海月产能已达10000片，供货稳定，截至2022年上半年，英诺赛科GaN芯片出货量已突破8000万颗。
