前言
USB-C接口已成为电子设备充电的标准。然而，随着设备功率需求的不断增加，传统充电设计面临着日益严峻的热性能和效率挑战。消费者对于更高功率、更快充电的需求推动了技术的创新。如何在保持高效充电的同时，解决因功率提升而带来的热管理问题，成为了设计师们亟需破解的难题。
在2024年8月22日，英国剑桥的电力电子技术创新企业Pulsiv Limited宣布推出其新款65W USB-C GaN优化参考设计，该设计旨在解决电源中的复杂热性能挑战。这一备受期待的突破性开发成果将提供其他设计中所未有的独特功能和优势组合，必将彻底改变USB-C快速充电领域。
PSV-RDAD-65USB参考设计
PSV-RDAD-65USB参考设计结合了Pulsiv的OSMIUM技术、行业标准准谐振反激变换器和超紧凑的磁性组件，大幅降低了工作温度，减少了损耗，并且缩小了尺寸。这一设计的最高效率达到96%，平均效率为95%。
（Pulsiv PSV-EBAD-65USB评估板：Vin = 230V直流电；Vout = 20V；Iout = 3.25A；环境温度为26.1°C）
相较于其他设计，PSV-RDAD-65USB参考设计关键组件温度降低了30%以上。在工作环境温度为26.1°C并且满载的情况下，反激式转换器在230V直流电下的温度仅为33.9°C，在265V下为30.3°C，温度降低超过30%。
（Pulsiv独特的半有源桥控制装置）
Pulsiv OSMIUM技术利用半有源桥来提高效率和空间，通过感应交流电线路电压和频率来调整电容器充电时间，从而让电路在交流零电压交越时不消耗线路电流。这能够实现简单的半有源桥，以提高效率，特别是在低压条件下。它对位于下半部分交流转直流桥中的MOSFET进行精细控制，并与高侧二极管结合使用。此设计中的半有源桥在效率、成本和复杂性之间实现了微妙平衡，支持通用输入，并在115V交流电源下将满载效率提升0.7%。
该参考设计可以使用与Frenetic合作开发的EQ20转换器，Pulsiv OSMIUM技术可以最大限度地提高效率，并将反激变换器的尺寸缩小，与其他设计中常见的RM8核相比，它能将体积缩小20%，将效率提高50%，可以帮助用户提高性能、缩小尺寸并降低设计成本。
PSV-RDAD-65USB参考设计采用Innoscience的GaN晶体管，通过降低RDSon和寄生电容，减少了反激变换器和同步整流器子系统中的损耗。Innoscience EMEA总经理Denis Marcon表示，GaN技术非常适合提高效率、减少损耗和优化成本，而Pulsiv OSMIUM技术能显著提高整体性能和减少能源浪费，带来额外的好处。两者结合可进一步优化成本和效率。
充电头网总结
Pulsiv Limited最新推出的65W USB-C GaN优化参考设计通过将OSMIUM技术、半有源桥控制和GaN晶体管等有效结合，大幅降低了温度和损耗，在提高效率的同时让将体积缩小，可有效帮助用户提高性能、缩小尺寸并降低设计成本。
