AOS 万国半导体推出 GTPAK 与 GLPAK 两款全新MOSFET封装方案!

AOS 万国半导体推出 GTPAK 与 GLPAK 两款全新MOSFET封装方案!
2025年03月17日 15:27 充电头网

前言

近年来,电动交通、工业自动化等领域正在快速发展,高功率电子设备对电流承载能力与散热效率越发的看重,而MOSFET的性能直接影响到这些设备的电流承载能力和散热效率。为此,全球厂商正加速布局:一方面通过碳化硅、氮化镓等宽禁带材料降低损耗;另一方面优化封装结构,结合多芯片集成与智能驱动技术,实现电流均流与高效散热的协同突破,为高功率场景下的可靠性与能效平衡提供关键技术支撑。

近期,全球领先的功率半导体供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited(纳斯达克代码:AOSL,以下简称:AOS)宣布推出两款先进的表面贴片封装选项 ——GTPAK与GLPAK。该技术将率先应用于 AOGT66909 和 AOGL66901 MOSFET器件中,通过优化封装设计,助力客户在提升系统性能的同时降低复杂度与成本。

全新 GTPAK与GLPAK封装技术,破解行业痛点

GTPAK封装:先进封装技术带来热管理升级

AOGT66909采用的GTPAK封装通过顶部散热设计实现了热管理路径的全面升级。该封装表面具有大尺寸裸露焊盘可直接对接外部散热片,使热量无需依赖PCB板传导即可高效消散,有效降低了对基板材料的要求。这一设计可有效为高密度电源模块节省空间,同时允许客户采用FR4等低成本基板,在保障可靠性的同时降低整体方案成本。

GLPAK封装:低阻抗与EMI优化的封装突破

AOGL66901搭载的GLPAK封装则通过先进夹片技术实现了超低封装电阻与寄生电感,该封装的海鸥翼引脚结构设计有效增强了焊接可靠性,大幅优化了电磁干扰(EMI)表现,为电机驱动、储能系统等应用提供了更优解决方案。

高可靠性设计与生产标准

GTPAK与GLPAK封装技术均采用海鸥翼引脚设计,可有效增强IMS电路板及其他对可靠性要求极高的关键应用中的温度循环性能,采用 GTPAK 和 GLPAK 封装的 AOS MOSFET 均在 IATF16949 认证工厂生产,并支持自动化光学检测(AOI),确保高质量和高一致性,可满足汽车电子、工业设备等领域的高耐久性需求。

核心性能参数简述

从产品核心参数看,AOGT66909 采用 GTPAK 封装,具备 100V 的漏源电压、±20V 的栅源电压,工作结温达 175℃,连续漏极电流在 25℃时达 366A,100℃时为 258A;脉冲漏极电流在 25℃下可达 1464A,导通电阻最大值为 1.5mΩ。

另一款 AOGL66901 采用 GLPAK 封装,同样拥有 100V 的漏源电压、±20V 的栅源电压及 175℃工作结温。其连续漏极电流在 25℃时为 448A,100℃时达 316A;脉冲漏极电流在 25℃下高达 1790A,导通电阻最大值为 1.25mΩ。

技术创新驱动客户价值

AOS MOSFET产品线市场资深总监Peter H. Wilson强调:“GTPAK与GLPAK的推出,不仅是对封装技术的突破,更是对客户需求的深度响应,通过减少并联器件数量与简化设计流程,助力客户在提升效率的同时实现降本增效。”

目前,AOGT66909与AOGL66901已全面投入量产,交货周期为14-16周,千片单价分别为3.6美元与3.15美元。此次发布的新型封装技术,将为下一代电动车动力系统、工业伺服驱动等领域提供关键技术支撑。随着全球能源转型加速,AOS 将持续加大研发投入,以技术创新推动绿色能源应用高效发展。

充电头网总结

AOS此次推出的GTPAK与GLPAK封装技术,以先进的热管理路径和低阻抗设计直击行业痛点,不仅重新定义了高功率MOSFET的封装标准,更通过"散热-降本-增效"三位一体的技术融合,为电动交通、工业自动化等领域的能效升级提供了兼具前瞻性与实用性的解决方案。

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