据日媒报道， 日本铠侠自2017年开始与半导体设备厂佳能，以及光罩、模板等半导体零组件制造商DNP合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术(NIL)的量产技术，目前铠侠已经掌握了15nm的量产技术，并正在向15nm以下的工艺研发，预计2025年开始生产
相比于目前已实用化的极紫外光(EUV)工艺而言，NIL工艺不使用EUV光刻机，降低了设备投入成本，并且耗能更低，据称NIL的耗电量可压低至EUV生产方式的10%，并让设备投资降低至40%。但是NIL在量产上仍有不少问题有待解决，包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等的问题。
铠侠表示，已解决NIL的基本技术问题，正在完善量产技术，希望能率先引入NAND生产。而根据DNP说法，NIL技术电路精细程度可达5nm，DNP将从2021年春季起，根据设备的规格进行内部仿真。
