无需EUV光刻机 铠侠新NIL工艺直奔5nm

无需EUV光刻机 铠侠新NIL工艺直奔5nm
2021年10月21日 20:49 ZOL中关村在线

据日媒报道, 日本铠侠自2017年开始与半导体设备厂佳能,以及光罩、模板等半导体零组件制造商DNP合作,在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术(NIL)的量产技术,目前铠侠已经掌握了15nm的量产技术,并正在向15nm以下的工艺研发,预计2025年开始生产

相比于目前已实用化的极紫外光(EUV)工艺而言,NIL工艺不使用EUV光刻机,降低了设备投入成本,并且耗能更低,据称NIL的耗电量可压低至EUV生产方式的10%,并让设备投资降低至40%。但是NIL在量产上仍有不少问题有待解决,包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等的问题。

铠侠表示,已解决NIL的基本技术问题,正在完善量产技术,希望能率先引入NAND生产。而根据DNP说法,NIL技术电路精细程度可达5nm,DNP将从2021年春季起,根据设备的规格进行内部仿真。

财经自媒体联盟

新浪首页 语音播报 相关新闻 返回顶部