近日，美国科技巨头IBM突然宣布，已经造出了全球第一颗2nm制程半导体芯片，据官方介绍称，新的技术可以在150平方毫米大小面积内，容纳500亿颗晶体管。
简单来说，IBM公布的这个2nm制程技术，几乎是当前台积电5nm制程工艺的两倍，此消息一出，不少网友纷纷表示，台积电如今要被IBM超越了。
不过IBM并不具备量产2nm芯片的能力，因为该公司并没有10nm制程以下的晶圆厂。
如果IBM要推进2nm芯片商用的话，依然需要做更充分的准备工作才行，比如建设先进的晶圆厂。
即便是进展非常顺利，IBM也要等到2024年才具备量产2nm芯片的能力，而那个时候台积电2nm制程也已经实现量产了，所以IBM现在公布了2nm芯片，也注定无法超越台积电。
现在，台积电又进一步证实了自己全球第一的实力，联手合作伙伴台大和MIT共同宣布，已经在1nm以下制程方面取得了巨大突破。
具体来说，台积电这次宣布的是一种半导体新材料铋（Bi），它可以大幅降低电阻并提高传输电流，有助于在未来突破摩尔定律的极限，能达到极低电阻，接近量子极限。
这项研究成果是由台大、台积电和MIT共同完成，自2019年开始已经持续了长达1年多的跨国合作，如今终于取得了重大突破。
不得不说，这一次台积电又走在了技术最前沿。
近年来，长期处于先进制程最前面的台积电，可谓是一骑绝尘，从10nm到7nm，保持着行业领先优势，2020年开始量产5nm，继续领先。
如无意外的话，3nm技术预计2021年试产，并于2022年开始量产，2nm技术也已经获得了重大突破，将切入GAA技术，预计会在2023年-2024年推出。
不过整个半导体行业的竞争也非常激烈，台积电面临着三星和英特尔的追赶，如今再添上IBM围堵，的确需要有更具说服力的技术亮相。
所以现在，台积电宣布1nm以下制程迎来了突破，这是其它厂商都没有达到的水平，如果未来台积电可以抢下这项技术量产先机，应该找不到任何对手了吧！
值得一提的是，台积电取得技术突破，对于大陆而言也是一件好事。
前不久台积电召开临时董事会宣布，将投入28.87亿美元资本支出，计划在南京厂扩充28nm成熟制程产能。
尽管只是扩充28nm产线，但对于大陆半导体产业来说，也能够帮助大陆培养技术型人才。
所以台积电持续做大做强，于国于民于国内半导体产业来说，都将是一件大好事！
对于台积电1nm以下制程取得的新突破，你们怎么看呢？欢迎在评论区留言，谈谈你的看法。
