伴随着数字化转型的加快、半导体产品应用场景的迅速增加及5G、物联网的迅速发展，目前全球半导体行业处在快速增长的阶段。英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）凭借卓越的技术实力和创新能力，已在全球氮化镓功率半导体领域崭露头角，成为行业内的领军企业。
招股书显示，英诺赛科由骆薇薇博士创立，总部位于中国苏州市吴江区，是一家致力于第三代半导体氮化镓研发与应用的高新技术企业。英诺赛科拥有珠海及苏州两座8英寸硅基氮化镓生产基地，并通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题，首次实现了8英寸硅基氮化镓外延与芯片的大规模量产。这一技术突破不仅填补了国内在该领域的空白，实现了国产氮化镓芯片的崛起。
我们设计、开发及制造提供不同封装选择的高性能及可靠的氮化镓分立器件，用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1,200V。英诺赛科还拥有先进的光刻技术，能够生产线宽较小的器件，显著提升器件的性能。此外，英诺赛科还具备出众的晶圆级、封装级以及系统级的测试能力，为产品的质量和可靠性提供了有力保障。
凭借强大的技术实力和创新能力，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体市场占据了重要地位。根据弗若斯特沙利文的资料，英诺赛科2023年的收入为人民币5.9亿元，占氮化镓功率半导体行业市场份额的33.7%；按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率为42.4%。
截至2023年12月31日，以折算氮化镓分立器件计，公司的累计出货量超过5亿颗。在消费电源、手机、激光雷达、数据中心、光伏发电、储能与自动驾驶等多个领域，英诺赛科的产品都得到了广泛应用，赢得了众多客户的认可。
展望未来，英诺赛科将继续坚持自主创新的理念，加大研发投入，推动技术创新和产业升级。同时，英诺赛科将进一步拓展氮化镓功率半导体的应用领域，推出更多高性能、高可靠性的产品，满足市场的不断增长需求，持续巩固其在氮化镓半导体行业的领导地位。
