作者:不懂固态的学僧
一、前言
自从矿难之后,KIOXIA的拆机硬盘CD6以及CM6在海鲜市场大量流出。恰巧朋友那边买了一块CD6 3.84TB,故笔者厚着脸皮去借了一下,测一测其具体的性能表现。
CD6是定位于读取密集型产品,提供了1DWPD;CM6则是定位于写入密集或混合读写产品,提供了3DWPD,两者均采用了铠侠96-Layer BICS 3D FLASH Memory,即96层的BICS4颗粒。
二、开箱&外观
硬盘本体:
PCB布局:
Dram:
颗粒:
Dram采用的是两颗三星加四颗海力士的组合。其中三星的编码为:K4A4G085WF-BCTD,实际上是单颗4Gb(即512MB)的DDR4-2666 19-19-19;海力士的颗粒编码为:H5AN8G8NCJRVKC,实际是是单颗8Gb(即1GB)的DDR4-2666 19-19-19。这种混合的DRAM用料笔者还是第一次见。
颗粒方面采用的是8颗编号为TH58LJT2V24BA8H 单颗512GiB的颗粒,主控面3颗,背面4颗。
电容方面则是采用了6颗KYA 35V 220μF电容,根据网上的资料来看,采用的应该是铝电解电容,来提供增强掉电保护功能(PLP)。
由于属于数据中心旗舰型产品,KIOXIA CD6的整体功耗较高,为了保险起见,还是另外加了把扇子单独给到KIOXIA CD6去做散热,去测试硬盘本身的极限性能。
三、基本信息
惯例,到手上机先看CDI
CDI抓取到的smart的信息较为有限,故使用smartmontools进一步抓取主控的smart信息。如下所示:
毕竟企业级数据中心产品,峰值功耗即PS0给到了27.5W,由于是数据中心产品,故CD6的发热以及待机温度也不低。
四、测试平台及设置
Hardware:AMD Ryzen 3700X @ 4.4GHz
Motherboard:Micro Star X570 Gaming Plus(BIOS Verizon:7C37vAE)
System:Windows 10 Professional 20H2 / Centos 8.4.2105
U.2 Riser card:JEYI PCI-E X16 U.2 REV 1.5
IO Interface:PCIe_1 slot (From AMD® Processor)
由于测试采用的是AMD平台,相关测试数据可能偏低。
五、基本性能测试
由于Windows几个常规的跑分测试软件顺序读写的块大小为1MB,企业级数据中心产品会对不同的文件大小进行相应的读写优化,故在Windows下顺序读取均未跑到CD6的标称最大值。同时根据Windows下跑出的数据可知,CD6在低队列低线程下的读写表现不错。
六、进阶性能验证
为了进一步测试该盘的实际性能情况,在Centos环境下采用FIO对硬盘进行持续和全面的性(大)能(保)测(健)试,同时也是对盘体极限性能做一个标定。在开始测试前先看眼铠侠官网对CD6 3.84T的性能标定。
(1)全盘读写
首先是一套全盘读写项目
由全盘写入的结果来看,设置块大小为128KiB的情况下,CD6的写入速度达到了2342MiB/s(2456MB/s),读取速度达到了5941MiB/s(6230MB/s),顺序写入略高于铠侠官网给出的数值。
(2)4KiB全盘跨度随机读写(QD1T1)
QD1T1条件下的随机写入性能中规中矩,但在测试的过程中出现略微下降的情况;随机读取的表现较好,QoS 99%/99.9%/99.99%的表现均不错。
(3)4KiB全盘跨度随机读写(QD32T8)
全盘跨度下的随机读取为1067K;随机写入为155k,长时间的随机写入出现了一定程度的下降,但均高于铠侠官网所给出的数据。
(4)4KiB全盘跨度随机混合7读3写(QD32T8)
在混合7读3写的测试中,随机读取为205K,随机写入为87.8k,且全程并未出现较大幅度的波动。
(5)稳态顺序读写
根据SNIA发布的《Solid State Storage Performance Test Specification》中写道,固态一般分为以下三个阶段:FOB、Transition和Steady State。
故在此阶段,先对KIOXIA CD6 3.84T进行了一次全盘顺序写入后,进行顺序写入1800s和顺序读取1800s测试项目。
结果如下:
在这个测试环节中,全盘写入保持在2353MiB/s(2468MB/s),全盘读取保持在3700MiB/s(6230MB/s)。
七、结论
1、KIOXIA CD6产品定位读取密集型,性能强悍,发热不低
2、全盘跨度下随机写入的QoS 99%/99.9%/99.99%延迟表现良好
3、对于不同的文件大小进行了不同的优化,在测试的时候发现块大小在64KiB~512KiB顺序读取能够达到最大值
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