作者:太平洋的水
台湾半导体制造公司(TSMC)展示了其最新的工艺技术进展,包括3nm和2nm节点。TSMC在演讲中公布了其在2nm工艺技术方面的进展,并为公司现有的3nm技术新增了新的合作伙伴,这将提供更广泛的工艺技术范围,能够满足更广泛的受众需求。其中包括N3P、N3X和N3AE。此外,该公司还讨论了其2nm目标和3DFabric进展。

N3P是强化版的3纳米工艺,相较于N3E,在相同漏电下,速度增快5%,在相同速度下,功耗降低5~10%,芯片密度增加4%。N3P适用于高效能、低功耗和高密度的产品,预计于2024年下半年量产。

N3X是为高效能运算应用量身打造的3纳米工艺,相较于N3P,在驱动电压1.2伏特下,速度增快5%,并拥有相同的芯片密度提升幅度。N3X着重于效能与最大时脉频率,支持高性能计算、人工智能、云端等领域,预计于2025年量产。


N3AE是为汽车应用设计的3纳米工艺,提供以N3E为基础的汽车制程设计套件,具备更强的可靠性和安全性。N3AE让客户能够提早采用3纳米技术来设计汽车产品,以便于2025年及时采用届时已全面通过汽车制程验证的N3A制程。
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