作者：ACFUN_AK
E5V3 E5V4的原生核心数量整理
前作：【图吧日常】E5 1620V3V4 2630V4热法开盖+核心对比
通过开盖对比可以看到V4完全是一样的核心，结果屏蔽的4核超上3.5G比十核2.2G还贵
评论区询问1620v3是不是原生8核的die，简单查询。
结果是E5V3的Haswell-EP的die分为三种，按核心数从高到低分别为HCC、MCC、LCC，分别负责14-18核心、6-12核心与4-8核心的产品。
LCC与MCC共同负责6-8核心产品，所以开盖可能会抽奖。
除了最低的LCC外，核心较多的两个版本都配备了双环形总线和双内存控制器。同时LLC（此处为L3缓存）也分为两组。两个环形总线之间使用Buffer Switch相连，也就是连接了这两组ring所属的L3缓存。
然后是14nm的E5V4，现在这个U也相当便宜了。
E5V4的Broadwell-EP总共拥有三个原生Die(芯片)，LCCDie有2列10个核心，MCCDie有3列15个核心，HCCDie则有4列24个核心。
所以到了E5V4的10核20线的2630V4其实就和4核8线的1620V4是使用的完全一样的核心了（和E5V2使用的原生6核、10核、12核分别屏蔽不一样）。所以这也解释了为何E5V1的1620比V4还贵。E5V1的原生die核心数是4和8，1620要么是原生四核要么从八核屏蔽。
E5V4之后，由于核心数目增多，造成Ring Bus唤醒总线无论平均跳数和最大跳数都增加到严重影响性能的程度，不得已采用双Ring结构（过去E5V2超过10核的E7屏蔽产品也使用了多环形总线的结构，3条环形总线穿的12核心实际体验不如原生单环形总线的10核好）。
E5V2的3环形总线结构
Intel在Skylake中引入新的Mesh总线（消费级不使用），但是已经和X99无关了，属于是X299的范畴，可能X299在降价之后会考虑入手，但是据说不是全系钎焊的U和相比X99的提升幅度可能会打消升级的动力。
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