长光华芯取得释放氧化应力的 VCSEL 芯片及其制备方法专利

长光华芯取得释放氧化应力的 VCSEL 芯片及其制备方法专利
2024年11月16日 16:11 金融界火线

金融界 2024 年 11 月 16 日消息,国家知识产权局信息显示,苏州长光华芯光电技术股份有限公司及苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司取得一项名为“一种释放氧化应力的 VCSEL 芯片及其制备方法”的专利,授权公告号 CN 118610892 B,申请日期为 2024 年 8 月。

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