金融界 2024 年 11 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，中国南方电网有限责任公司申请一项名为“种 SiC MOSFET 模型的构建方法及装置”的专利，公开号 CN 118981914 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明涉及 SiC MOSFET 建模技术领域，公开了一种 SiC MOSFET 模型的构建方法及装置。该方法建立电容数据采集模型；将若干个栅源电压和漏源电压的组合参数输入电容数据采集模型中，得到若干组电容数据；通过组合栅源电压、漏源电压数据和电容数据得到若干组组合数据；建立栅源电容、栅漏电容和漏源电容的模型公式；基于若干组组合数据对栅源电容、栅漏电容和漏源电容的模型公式进行参数拟合，分别得出栅源电容、栅漏电容和漏源电容的双电压影响模型，从而构建 SiC MOSFET 开关模型。本发明考虑了结电容的双电压影响特性，提高了 SiC MOSFET 模型的适用性和建模准确度。
