金融界 2024 年 11 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“集成电路的布局结构及其制作方法”的专利，公开号 CN 118983295 A，申请日期为 2023 年 5 月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种集成电路的布局结构及其制作方法，其中，集成电路的布局结构包括：基底；沿第一方向依次排布的多个晶体管，相邻两个晶体管串联连接，每一晶体管包括位于基底上的栅极及位于栅极相对两侧的源极区及漏极区，且相串联的两个晶体管共用源极区或者漏极区；第一金属硅化物部，第一金属硅化物部位于边缘晶体管远离与边缘晶体管相邻的另一晶体管的一侧，且与边缘晶体管中非共源漏极区的源极区或漏极区连接；第二金属硅化物部，第二金属硅化物部位于基底内，且第二金属硅化物部在基底表面的正投影与栅极在基底表面的正投影间隔设置，第二金属硅化物部与共源漏极区连接。可以降低整个结构的电阻。
