金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，武汉喻芯半导体有限公司申请一项名为“一种交替使用RAM的嵌入式存储数据传输系统及方法”的专利，公开号CN 119046200 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提出了一种交替使用RAM的嵌入式存储数据传输系统及方法，属于数据传输领域，包括读写FIFO模块，其配置为与总线通信接口DMA连接，对数据进行写入或读取；RAM交替使用模块，其配置为对读写FIFO模块的数据进行存储；第一数据选择模块，其配置为根据RAM1和RAM2的状态对数据进行交替写入；第二数据选择模块，其配置为根据第一数据模块的指令对RAM交替使用模块存储的数据进行交替读取；数据传输模块，其配置为将第二数据选择模块的输出结果进行数据传输。本申请交替使用两个RAM，实现了数据的并行读写，在一个RAM写入数据的同时，从另一个RAM读取数据，减少了数据传输过程中的等待时间，提高了嵌入式存储的读写效率，利用读写FIFO模块和数据选择器的配合，保证数据传输的连续性。
