金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种形成硅通孔的刻蚀方法”的专利，公开号CN 119050052 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种形成硅通孔的刻蚀方法，所述刻蚀方法包括以下步骤：（1）使用气态氟源与惰性气体的混合气对硅片进行预刻蚀处理，得到预刻蚀硅片；（2）采用第一博世刻蚀工艺刻蚀步骤（1）得到的预刻蚀硅片，得到一步刻蚀硅片；（3）采用第二博世刻蚀工艺刻蚀步骤（2）得到的一步刻蚀硅片，得到二步刻蚀硅片；（4）采用底部刻蚀工艺刻蚀步骤（3）得到的二步刻蚀硅片，完成刻蚀；本发明通过预刻蚀与三段刻蚀工艺结合的方法形成硅通孔，不仅可以把硅通孔结构做到更大的深宽比，同时还可以改良刻蚀形貌和侧壁粗糙度，缓解了由于刻蚀开始阶段鞘层不稳定原因带来的顶部侧壁粗糙度急剧扩大的问题。
