金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119050048 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括衬底、扩大部以及节点接触部；衬底包括有源区和隔离结构，隔离结构位于相邻的有源区之间，有源区的端部处的隔离结构形成有第一缺口，有源区的端部形成有第二缺口，第一缺口与第二缺口连通；扩大部位于第一缺口内，扩大部与有源区有接触；节点接触部位于第二缺口内，节点接触部与有源区和扩大部均有接触。
