金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 119050065 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括半导体基底、至少一个金属层、第一钝化层及保护层。至少一个金属层设置于部分半导体基底上，与半导体基底形成电性连接；金属层的边界与半导体基底的交接处形成台阶结构；第一钝化层覆盖于金属层及半导体基底上。第一钝化层上形成有至少一个第一开口，每个第一开口暴露部分与其所对应的金属层。保护层覆盖于第一钝化层上，且保护层上形成有第二开口，且保护层的第二开口暴露出所有的台阶结构，以使第二开口的边界远离台阶结构。由此，本发明的设计避开了金属层台阶结构以及第一钝化层的第一开口，可以有效的降低保护层边缘位置翘起、开裂剥离情况。
