金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体封装结构的形成方法”的专利，公开号CN 119050051 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供多个第一晶圆；第一晶圆包括第一半导体结构以及分别位于第一半导体结构的厚度方向相对的两侧的第一混合键合层以及第二混合键合层；提供第二晶圆；第二晶圆包括第二半导体结构以及位于第二半导体结构的厚度方向相对的两侧中的一侧的第三混合键合层；将多个第一晶圆中的一个第一晶圆的第一混合键合层与第二晶圆的第三混合键合层键合，使得第一晶圆与第二晶圆沿半导体封装结构的厚度方向堆叠排布；将多个第一晶圆中除与第三混合键合层键合之外的第一晶圆的第一混合键合层依次与半导体封装结构顶部的第一晶圆的第二混合键合层键合，使得多个第一晶圆沿半导体封装结构的厚度方向堆叠排布。
