金融界 2024 年 12 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号 CN 119050058 A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，通过控制刻蚀第一介质层的刻蚀终点以及控制研磨第二介质层的研磨终点，以去除第二晶体管上的第二介质层，保留第一晶体管的栅极结构上的第二介质层，第一晶体管的栅极结构上的第二介质层的顶面与第二晶体管的栅极结构的顶面的高度平齐解决第一晶体管与第二晶体管存在高度差的问题半导体结构的晶体管高度均匀，有利于后续制程的执行与控制。
