金融界2024年12月3日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器”的专利，公开号CN 119053154 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器，其中，反熔丝结构包括：衬底，包括沿第一方向延伸的有源区以及形成于有源区中、且沿第一方向依次间隔排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区和第五掺杂区；第一栅极结构，位于第一掺杂区与第二掺杂区之间的有源区的表面；第二栅极结构，位于第二掺杂区与第三掺杂区之间的有源区的表面；第三栅极结构，位于第三掺杂区与第四掺杂区之间的有源区的表面；第四栅极结构，位于第四掺杂区与第五掺杂区之间的有源区的表面；第一连接线，位于第一栅极结构上，连接第一掺杂区与第四掺杂区；第二连接线，位于第四栅极结构上，连接第二掺杂区与第五掺杂区。
