金融界2024年12月4日消息，国家知识产权局信息显示，联芯集成电路制造（厦门）有限公司申请一项名为“半导体清洁步骤”的专利，公开号CN 119061355 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体清洁步骤，包含提供一腔体，腔体包含有一底面以及一侧壁，腔体中包含有一加热器位于底面，进行一第一沉积步骤，以在腔体的侧壁上留下一残留层，进行一碳沉积步骤，以至少在加热器的表面上形成一碳层，以及进行一等离子体清洁步骤，以同时移 除腔体的侧壁上的残留层以及底面上的碳层。
金融界2024年12月4日消息，国家知识产权局信息显示，联芯集成电路制造（厦门）有限公司申请一项名为“半导体清洁步骤”的专利，公开号CN 119061355 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体清洁步骤，包含提供一腔体，腔体包含有一底面以及一侧壁，腔体中包含有一加热器位于底面，进行一第一沉积步骤，以在腔体的侧壁上留下一残留层，进行一碳沉积步骤，以至少在加热器的表面上形成一碳层，以及进行一等离子体清洁步骤，以同时移 除腔体的侧壁上的残留层以及底面上的碳层。
