苏州快可申请一种 MOSFET 光伏旁路保护模块及其制备方法专利，大量减少各部件间导电连接降低成本_

金融界 2024 年 12 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，苏州快可光伏电子股份有限公司申请一项名为“一种 MOSFET 光伏旁路保护模块及其制备方法”的专利，公开号 CN 119133165 A，申请日期为 2024 年 11 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种 MOSFET 光伏旁路保护模块及其制备方法，光伏旁路保护模块包括第一导电体、第二导电体、MOSFET 器件、控制芯片、电容和载板；其中，第一导电体和第二导电体之间设置有绝缘间隙载板跨越绝缘间隙并且连接第一导电体和第二导电体；载板包括绝缘基板和设置在绝缘基板的的导电层，控制芯片和电容设置在载板上并且通过导电层电连接，控制芯片通过导电层与第一导电体、第二导电体分别电连接；MOSFET 器件设置在第一导电体或第二导电体上，并且 MOSFET 器件与控制芯片、第一导电体和第二导电体分别电连接。本发明能够大量减少各部件之间通过金属线导电连接，简化工艺、降低成本以及提高产品可靠性。