金融界2024年12月26日消息,国家知识产权局信息显示,无锡旷通半导体有限公司申请一项名为“EMI优化的半导体器件”的专利,公开号CN 119181716 A,申请日期为2024年11月。
专利摘要显示,本发明涉及一种EMI优化的半导体器件,其包括有源区栅极焊盘和栅总线,有源区包括多个元胞,元胞内设置有栅极,多个元胞内的栅极相互串联;栅极焊盘包括依次设置的第一多晶硅和第一金属层;栅总线和栅极焊盘连接,栅总线包括第一部分和第二部分,第一部分包括第二多晶硅和第二金属层,所述第二部分包括第三多晶硅,所述第二多晶硅和所述第三多晶硅一体成型设置,所述第二多晶硅和所述栅极串联,所述第三多晶硅和所述第一多晶硅连接,所述第一金属层和第二金属层之间留有间隙,本发明具有既能降低器件开通震荡,提升EMI特性,又不会增加终端电路设计复杂度和成本的效果。
4000520066 欢迎批评指正
Copyright © 1996-2019 SINA Corporation
All Rights Reserved 新浪公司 版权所有
All Rights Reserved 新浪公司 版权所有