金融界 2025 年 1 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳云潼微电子科技有限公司申请一项名为“一种沟槽型 PMOS 管及制造方法”的专利，公开号 CN 119300424 A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种沟槽型 PMOS 管，该 PMOS 管包括：P 型衬底、P 型外延层、元胞区和环绕所述元胞区的终端区；所述 P 型外延层位于所述 P 型衬底之上；所述元胞区和所述终端区位于所述 P 型外延层上；所述元胞区的元胞沟槽包括元胞凹槽、栅极氧化层和栅极多晶硅；所述栅极氧化层位于所述元胞凹槽的底部和侧壁上，所述栅极多晶硅填充在所述栅极氧化层形成的空间内，其中，所述栅极氧化层为富硼氧化层，所述富硼氧化层是向氧化层中注入硼离子形成的。该 PMOS 管具有低导通电阻，高雪崩耐量 EAS 能力和低的电压蠕变等优势，进而提高可靠性。
天眼查资料显示，深圳云潼微电子科技有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本750万人民币，实缴资本750万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳云潼微电子科技有限公司专利信息7条，此外企业还拥有行政许可1个。
