中晶新源:以功率半导体全栈能力开拓海内外市场

中晶新源:以功率半导体全栈能力开拓海内外市场
2025年05月14日 16:59 中国电子报社

在汽车电动化、智能化两大趋势的引领下,功率半导体加速向座舱域、底盘域、动力域、车身域渗透,应用量和价值量显著提升。与此同时,随着汽车承载的功能日益丰富,集舒适性、便利性、安全性于一体,主机厂和Tier1也对功率器件的能效表现、转换效率、功耗控制等性能指标,以及厂商的交付能力与生态建设提出了更高的期许。

以MOSFET为例,由于其所需的驱动功率小,且具备开关速度快、大电流切换能力、工作频率高的特点,常被用于电机驱动与电能转换电路。在新能源汽车中,无论是动力域的电能转换与传输,还是座舱域各类系统的电能管理与驱动模块,都需要更多、更高效的MOSFET参与。

在刚刚结束的2025上海车展,记者在“中国芯”展区看到了中晶新源的车规级MOSFET-SMT4005AHPQ,其导通阻抗低至3.9mΩ。在MOSFET工作时,导通阻抗越低,功率损耗越小,系统效率越高。据悉,SMT4005AHPQ的低导通阻抗和FOM(品质因数)值分别优于欧美大厂同类产品10%和15%。

此外,SMT4005AHPQ结合自研的Si-base SGT工艺,实现了导通/开关双效降耗,进一步提升系统效率。相对传统沟槽工艺,SGT工艺对结构上进行了改进,在栅电极下方增加多晶硅电极(即屏蔽电极或耦合电极),实现了对栅极与漂移区的屏蔽,从而减小了米勒电容并加速了器件开关速度,带来更小的导通电阻和更低的开关损耗。

面向车规半导体的高可靠性要求,SMT4005AHPQ还应用了Polyimide(聚酰亚胺)保护层与紧凑贴片封装,实现了175℃高结温,并通过双重防护机制抵御热应力与污染物侵蚀,保障10年使用寿命;同时采取高耐压冗余设计,通过了100%雪崩测试, 具备宽范围安全工作区(SOA),进一步提升抗冲击能力。

功率半导体是一个品类丰富且竞争激烈的市场。如何在快速扩容和创新活跃的车规功率半导体市场找到落脚点,考验着每一个厂商的全栈能力。

“功率半导体企业要在汽车领域构建‘护城河’,需要在核心团队、技术创新、供应链安全、产品质量与服务、生态合作等多个层面构建差异化优势。”中晶新源相关发言人向《中国电子报》表示。

技术层面,中晶新源的新一代车规级SGT全电压系列、高压SJ-MOSFET650V系列、小信号及新一代整流器SGR、车规级MOSFET、IGBT单管及模块等均对标全球领先厂商,具备强芯片“技术迭代+安全设计”能力,研制了国际领先技术平台。

产品质量与服务方面,中晶新源构建了全产品价值链的专业管理能力(IATF16949&VDA6.3体系)、质量加强版(国际一流机构SGS认证)和产品全生命周期可追溯能力。为满足下游行业的多元化需求,中晶新源持续拓展先进功率技术“群”组合,推动技术平台和产品多元化覆盖,向一站式解决方案迈进。

功率器件作为电子产业的核心元器件,既要与本土产业链的上下游环节做好适配,又要紧密融入国际生态。中晶新源顺应国内国际双循环趋势,一方面承担串联本土产业链的职能,链接各环节企业紧密合作,共创共赢生态链;另一方面积极开拓海外市场,融入国际大循环。

“未来我们将进一步加大新兴市场拓展力度,深化与头部企业的合作,同时开发分销渠道,聚焦高附加值产品,通过技术迭代、成本优化与快速响应提升国际竞争力。”该发言人表示,公司将以中国大市场为创新基地,通过东南亚跳板辐射全球市场,预计未来海外业务占比将维持在15%~20%的战略区间。

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