三星3nm工艺流片 全球首发GAA晶体管【推仔说新闻】

三星3nm工艺流片 全球首发GAA晶体管【推仔说新闻】
2021年07月02日 09:59 奥拉猪汪

大家都知道,就目前而言全球范围内,专供先进半导体工艺的厂商仅剩下三家了,而在这其中除了一直慢人一步的Intel以外,台积电和三星可谓是两强相争。

而在此之前台积电曾经明确表示过,将于明年量产3nm工艺,在这里又涉及两家的分歧,在3nm节点,三星选择了GAA工艺,而台积电将继续延续现有的的FinFET工艺。

在当时三星表示GAA技术可以显著增强晶体管性能。与5nm工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%,功耗降低了50%,性能提高了约30%。

就在日前,三星成功流片了3nm GAA芯片,不过三星此次并没有透露这次验证的3nm GAA芯片的详情,仅仅只说了新工艺改善了静电特性,提高了性能,降低了功耗。

事实上关注工艺的同学们应该有印象,三星早在两年前就已经在布局3nm GAA工艺了,这次的流片是与Synopsys合作,验证了工艺的设计、生产流程。

在推仔看来,三星的新工艺可以说是一再延期,最一开始的时候说的是2021年量产,现在被推迟到了2022年,再联系到这次三星对于流片出来的新品语焉不详,难道说依旧不符合预期,新工艺还要接着跳票?这可就不是啥好事了,毕竟隔壁台积电的3nm可不等人。

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