大家都知道，就目前而言全球范围内，专供先进半导体工艺的厂商仅剩下三家了，而在这其中除了一直慢人一步的Intel以外，台积电和三星可谓是两强相争。
而在此之前台积电曾经明确表示过，将于明年量产3nm工艺，在这里又涉及两家的分歧，在3nm节点，三星选择了GAA工艺，而台积电将继续延续现有的的FinFET工艺。
在当时三星表示GAA技术可以显著增强晶体管性能。与5nm工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%，功耗降低了50%，性能提高了约30%。
就在日前，三星成功流片了3nm GAA芯片，不过三星此次并没有透露这次验证的3nm GAA芯片的详情，仅仅只说了新工艺改善了静电特性，提高了性能，降低了功耗。
事实上关注工艺的同学们应该有印象，三星早在两年前就已经在布局3nm GAA工艺了，这次的流片是与Synopsys合作，验证了工艺的设计、生产流程。
在推仔看来，三星的新工艺可以说是一再延期，最一开始的时候说的是2021年量产，现在被推迟到了2022年，再联系到这次三星对于流片出来的新品语焉不详，难道说依旧不符合预期，新工艺还要接着跳票？这可就不是啥好事了，毕竟隔壁台积电的3nm可不等人。
