下一代旗舰芯片功耗表现成重点,联发科台积电4纳米领跑明年旗舰

下一代旗舰芯片功耗表现成重点,联发科台积电4纳米领跑明年旗舰
2021年09月30日 20:27 科技谈一谈

近日,知名数码博主数码闲聊站发布爆料称,某安卓旗舰芯片样品测试安兔兔跑分超100万,引起了网友们的广泛热议。这一跑分意味着突破了现有旗舰产品的跑分纪录,但不少数码博主和网友对100万跑分并不意外,并表示下一代旗舰芯片的功耗问题才最值得关注。

对于爆料对象,相信大家都能猜到,无非是高通骁龙898或者联发科天玑下一代旗舰芯片。百万跑分性能登顶,两家的功耗表现成为新一轮对决的关键。结合多方消息来看,联发科下一代旗舰芯片会采用台积电的4纳米工艺,而高通898则是会选用三星4纳米,考虑到业内对台积电的制造工艺更加认可,所以目前来看是联发科的胜算更大。

这一点从天玑1200与骁龙888的功耗表现对比就能窥见一斑。今年骁龙888系列芯片多次被爆出发热、功耗高的问题。反观天玑1200芯片,不仅性能强劲,在功耗方面也控制得非常好,备受认可。

当然,天玑1200芯片的成功,不仅受到了用户的实际认可,其功耗表现还获得了中国移动和中国电信的5星满分成绩。尤其是联发科的独家5G UltraSave省电技术,也带来了更加稳定的功耗控制。至于下一代的联发科天玑旗舰芯片和高通898芯片谁能获胜,显然是十拿九稳的联发科更有把握。

从目前天玑1200与骁龙888的对比中可以看到,联发科的功耗与控温效果更出色,而骁龙则把发展方向重点放在了性能这一块,忽略了发热量与功耗问题。虽然两家的下一代旗舰芯片都有100万的跑分成绩,但考虑到散热与功耗问题,联发科显然更值得大家期待。

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