总投资约1500亿元，长鑫存储内存芯片自主制造项目投产_

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新华社报道，在9月20日召开的2019世界制造业大会上，长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4产品首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。

大会现场，长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示，“投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。”

据悉，长鑫存储内存芯片自主制造项目总投资约1500亿元，2016年5月由合肥产投与兆易创新共同出资组建，项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标。

DRAM作为最常见的内存芯片，广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。据国家重大专项01专项专家组组长、清华大学微电子所所长魏少军透露，我国虽然是该类芯片最大应用市场，但此前没有出现实现量产的国产化项目。

在魏少军等专家看来，长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，这标志着我国内存芯片领域实现了量产突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。

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