由于众所周知的原因，我国近年来持续推进半导体产业发展，但在行业关注度持续提升的同时，很多芯片项目也存在烂尾可能。我国针对这种现象推出芯片烂尾项目追责制度，此举有利于芯片产业链内龙头公司健康发展，并且可以加速产业整合，实现共同发展。
从芯片行业来看，半导体材料是产业发展的基础，并且因为芯片材料不同，生产制作工艺也不完全相同，第一二代基于硅材料的芯片制造以目前主流的蚀刻、光刻等设备为主。以碳化硅及氮化镓为代表的第三代半导体，则有可能帮助我国芯片产业实现弯道超车，避开光刻机等设备研发，直接实现晶圆制造。
碳基半导体材料由于其优异的性能表现，成为未来超越摩尔定律的倚赖。我国为把握住第三代半导体发展的战略机遇，持续推出产业支持政策，在国家层面加大产业的战略指导，在财税政策方面提供各种优惠扶持政策。现阶段，国内针对第三代半导体产业的投资金额也日益增长，初步形成了第三代半导体较为完善的产业链布局。
突破摩尔定律
第三代半导体材料包括以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带化合物半导体。在高温、高耐压以及承受大电流等多个方面具备明显的优势，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
第一代半导体材料多数指代硅（Si）、锗（GE）、第二代则是是以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）为主的化合物半导体，其主要被用于制作高频、高速以及大功率电子器件，在卫星通讯、移动通讯以及光通讯等领域有较为广泛的应用。
以材料性能来看，第一、二代半导体材料工艺已经逐渐接近物理极限，在微电子领域的摩尔定律开始逐步失效，即不再遵循“投入金额不变，集成电路上可以容纳的晶体管数目大约每经过24个月便会增加一倍（性能两年翻一倍）”的规律，而第三代半导体材料可以超越摩尔定律。
应用前景广阔
就第三代半导体材料而言，SiC及GaN在材料性能上各有优劣，因此在应用领域上各有侧重及互补。
GaN由于其优异的高频性能，在射频领域具备良好的发展空间，预计到2024年，全球GaN市场规模将达到20亿美元，复合增长率为21%；SiC在高功率领域具备较好的表现，电动汽车将是主要发展领域，整体市场规模在2025年将达到32亿美元左右，复合增长率将保持在30%以上。
从下游应用来看，第三代半导体材料应用可以分为微电子和光电子领域，具体可以细分为电力电子器件、微波射频、可见光通信、太阳能、半导体照明、紫外光存储、激光显示以及紫外探测器等领域，有望突破传统半导体技术的瓶颈，与第一代、第二代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用。
根据Yole统计数据，2018年GaN整体市场规模为6.45亿美元，其中无线通讯应用规模为3.04亿美元，军事应用规模为2.7亿美元，在电信基础设施以及国防两大应用的推动下，预计到2024年，GaN市场规模将增长至20.01亿美元，年复合增长率为21%。其中无线通讯应用规模将达到7.52亿美元，同比增长147.43%，射频相关应用规模从200万美元大幅增长至1.04亿元，增长近50倍。
行业发展处于红利期
为把握第三代半导体发展机遇，我国在十三五期间，通过“国家重点研发技术”支持了超过30项第三代半导体相关的研发项目，通过对基础前沿技术的研究，持续推动产业发展。
至2019年，我国针对第三代半导体的产业投资金额逐年提升，根据CASA统计，2019年投资金额共计265.8亿元，相比2018年投资金额上升54.53%，其中SiC项目金额220.8亿元，占比83.07%，GaN项目金额45亿元。
就国内企业目前发展情况而言，闻泰科技（600745）已实现GaN器件量产，华润微（688396）、扬杰科技（300373）已实现SiC功率器件的产品送样。IGBT领域方面，比亚迪（002594）已在国内新能源车IGBT领域占据较大份额。
上述公司中，华润微作为国内功率IDM龙头，功率器件第一，晶圆制造第三，具备从芯片设计、制造及封测的全产业链能力，产品主要包括MOSFET、IGBT、SBD、FRD等，主要应用于消费电子、工业控制、新能源、汽车电子等领域。
华润微在MOSFET产品方面优势显著，也是目前国内拥有全部MOSFET主流器件结构研发和制造能力的主要企业，且进行第三代半导体SIC前瞻布局。将充分受益功率半导体国产替代、产品扩展和升级、以及第三代半导体红利。
第三代设备公司层面则以北方华创（002371）、华峰测控（688200）、中微公司（688012）等为代表。其中北方华创、中微公司等均是览富财经网长期关注的上市企业，关于华峰测控及杨杰科技，览富财经网也将继续关注。
