长鑫存储内存芯片自主制造项目投产

长鑫存储内存芯片自主制造项目投产
2019年09月20日 12:04 财联社APP

【长鑫存储内存芯片自主制造项目投产】《科创板日报》20日讯,在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。(新华社)

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