【消息称三星电子投资8英寸SiC功率半导体】《科创板日报》30日讯,据业内人士称,三星电子正在推进设备投资,以开发8英寸SiC/GaN工艺。据了解,今年早些时候,在组建了与SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)器件开发相关的功率半导体TF后,该公司正积极投资研发和原型生产所需的设施,迄今为止的投资额已超过1000亿至2000亿韩元。(The Elec)
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