芯片大乱斗！中科院研制3nm晶体管华为与中芯科技达成合作_

在当前这个科技当道的时代中，顶尖的芯片技术是各项智能设备、AI技术以及通信网络发展的关键。而与国际尖端芯片大厂相比，我国在芯片领域取得的成就与国际水顶尖水平仍存在着一定差距，因此，近几年来，芯片技术的研制成果一直备受关注，也一直是我国科技界研制的重点。

在2019年，我国中科院研究所殷华湘团队向外界公布了团队的科研成果，称团队已顺利研发出与人类DNA宽度相等的3nm晶体管；今年5月26日，北京元芯碳基集成电路研究院宣布，长期困扰科研进度的碳基半导体材料的制备瓶颈已经解决。从我国芯片界科研进程来看，这两大科研团队所取得的成就对我国芯片技术的进步具有很强的推动意义。

具体来看，此次研制的碳基半导体与市面上现有的芯片硅材料仍有一定差别。在性能上，碳基半导体所需的研制成本比硅材料更低，相同使用模式下功耗更小，运行效率也更高。

现阶段，高性能芯片技术大多被广泛运用于手机、笔记本、计算机等智能设备中，而碳基半导体的出现将能够在很大程度上提升设备性能和运行效率，电池的耐用程度和设备续航能力也会极大增强，满足我们在日常使用过程中对设备高效能的需求。对于一些对性能要求极高的高精尖技术中，碳基半导体更是如虎添翼式的存在。

纵观全球芯片发展进程我们不难发现，目前以台积电为代表的芯片大厂已可以达到5nm、3nm甚至更强级别的技术，而作为大陆最强芯片公司的中芯科技，最主要的研制方向还在7nm和14nm水平线。而中科院的研制的3nm晶体管并不意味着已经解决了3nm芯片的技术问题，这个3nm仅代表经书氧化物薄膜的厚度，可以解决高性能和低功耗晶体管的性能需求，但并不意味着元器件采用的是3nm工艺。在芯片技术这一领域，我国科研团队还有很长的路要走。