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就在当前CES 2020 热闹举行的当下，包括AMD与英特尔两家处理器大厂都将在会场中发表全新一代的处理器，虽然这些处理器预估还是会支持DDR4 记忆体，但是面对传输量越来越大，必须拥有越来越快传输速度记忆体的当下，下一代DDR5 记忆体也已经开始准备量产。根据外电报导，美商记忆体大厂美光(Micron) 于7 日正式宣布，将开始向客户出样最新的DDR5 记忆体，以第3 代的10 纳米级1z 纳米制程来打造，其性能提升了85%。
报导指出，美光表示相较DDR4 记忆体，DDR5 标准性能更强，功耗更低，起步频率至少4800MHz，最高6400MHz。而其他的性能提升还包括电压从1.2V 降低到1.1V，同时每通道32/40 位（ECC）、汇流排效率提高、增加预取的Bank Group 数量等。
而美光现在出样的DDR5 记忆体是使用了最新的1z 纳米制程，大概是12 到14 纳米节点之间，ECC DIMM 规格，频率DDR5-4800，比现在的DDR4-3200 记忆体性能提升了87% 左右。不过，距离DDR5-6400 的效能还有点距离，后期还有持续提升的空间。
而对于新一代的DDR5 记忆体来说，平台的支持才是最大的问题。而因为目前还没有正式支持DDR5 记忆体的平台，因此市场上要购买到内建DDR5 记忆体的产品则还要等上一段时间。其中，AMD 预计将会在2021 年的Zen4 架构处理器上更换介面，开始支持DDR5 记忆体。而AMD 的竞争对手英特尔则是在14 纳米及10 纳米制程的处理器上，目前都没有明确规划支持DDR5 记忆体。根据英特尔官方路线图显示，预计要到2021 年的7 纳米制程处理器Sapphire Rapids 上才会开始支持DDR5，而且还是以伺服器处理器为主，消费级的处理器产品预计还要再晚一些时间。
另外，根据美光之前的说法，目前美光正在生产第2 代10 纳米级1y 纳米制程技术的12 Gb LPDDR4X 以及16 Gb DDR4 记忆体。而在未来客户针对DDR5 记忆体试样完成后，将会开始准备1z 纳米的产线来开始生产。不过，对于1z 纳米产业的生产，美光线在尚未决定是否导入EUV 极紫外光科设备来协助生产。目前，美光的竞争对手三星已经在1z 纳米制程中导入EUV 设备来协助生产。
