分析师表示，这项预期的交易是在与 AMD 签订类似合同之后达成的，将巩固其在人工智能时代的内存领导地位。
三星电子公司预计将很快向美国图形芯片设计公司 Nvidia 公司供应高性能 DRAM 芯片 HMB3，届时将增强三星在增长的人工智能 (AI) 芯片领域的地位。另外，全球最大的内存芯片制造商三星周五表示，该公司已采用了越来越多的领先的12纳米工艺技术开发出产能且容量最高的32 Gb DDR5 DRAM。
这家总部位于韩国水原的公司上个月向Nvidia提供了第四代高带宽Memory3芯片的样品，用于Nvidia A100和H100 Tensor Core图形处理单元（GPU）上的质量验证。消息人士称，随着质量测试的完成，三星可能会在10月份开始向Nvidia供应HBM3芯片。
消息人士称，三星明年还对三星供应 HBM3 芯片达成了一致。他们表示，到 2024 年，三星可能会满足 Nvidia 约 30% 的 HBM3 需求。
截至目前，Nvidia已独家从全球第二大内存芯片制造商、三星同城竞争对手SK海力士公司获得HBM3芯片。
SK 海力士上个月表示，它向 Nvidia 提供了新型高性能芯片HBM3E 的样品进行评估。
Nvidia 生产用于生成式 AI 设备的 GPU，例如 ChatGPT，这是由微软公司支持的 OpenAI 开发的聊天机器人，它需要能够快速处理大数据的半导体。
据了解，ChatGPT 使用了大约 10,000 块 Nvidia 的 A100 芯片。HBM3 DRAM 是 A100 的关键组件。
三星与 AMD 的交易据了解，在 AMD 的 Instinct MI300X 加速器成功进行验证测试。
随后，三星将向美国无晶圆厂芯片设计公司Advanced Micro Devices Inc. (AMD)供应其HBM3芯片。
国务院官员表示，考虑到与 Nvidia 和 AMD 的供应协议，三星未来的全球 HBM 芯片市场份额可能会超过 50%。HBM 系列 DRAM 的需求不断增长，因为这些芯片在高性能计算系统上运行的生成人工智能设备提供动力。
此类芯片用于高性能数据中心以及提高人工智能和超级计算性能水平的机器学习平台。
据称，HBM3的容量比最新DRAM产品GDDR6高12倍，带宽高13倍。
与 NVIDIA、AMD 达成芯片封装协议
人士称，三星仍只是为 Nvidia 的 GPU 和 AMD 的中央处理单元（CPU）提供芯片封装服务进行深入谈判。封装是半导体制造的最后步骤之一，内部芯片置于保护壳中以防止腐蚀，并提供一个接口来组合和连接已制造的芯片。英伟达的芯片封装一直严重依赖台积电（TSMC）。然而，由于台积电的封装工艺线几乎已满，英伟达等无晶圆厂客户正在求助于其他代工厂商。
根据行业咨询公司Yole Intelligence的数据，全球先进封装市场预计2021年的374亿美元激增74%，到2027年达到650亿美元。
花旗全球市场周五表示，三星的 HBM3 交易将提高其明年的利润。
花旗分析师 Lee Se-cheol 表示，预计三星 2024 年营业利润将比今年增长 7%。
花旗显示三星股票的目标价来自原文周五，三星股价上涨6.1%，至71,000韩元，跑赢基准Kospi 0.3%的涨幅。
32Gb DDR5 DRAM 取得突破
三星周五推出了12纳米级32Gb双倍数据速率 (DDR5) DRAM，据称该产品非常适合各种人工智能应用。
最新内存容量是 16 Gb DDR5 的两个倍数，但封装尺寸相同，是目前单个DRAM芯片的最高容量。与16Gb产品相比，电效率也提高了10%。
该芯片制造商于5月份开始批量生产采用市场最先进的12纳米工艺节点16 Gb DDR5芯片。
三星于1983年开发出64 KB DRAM，在过去40年里，其DRAM容量已提高了500,000倍。
“凭借我们的12纳米级32Gb DRAM，我们获得了一种能够实现高达1 TB的DRAM模块的解决方案，使我们能够满足人工智能时代对大容量DRAM不断增长的需求。三星DRAM产品与技术性能副三星总裁 Hwang Sang-joon 表示，将继续扩大其高容量 DRAM 产品阵容，以保持其在人工智能时代的市场领先地位。
据市场研究公司 IDC 称，到 2027 年，每台服务器安装的 DRAM 用量预计今年的1.93 TB增加近一倍，达到3.86 TB。
