三星组百人团队攻HBM,势要击败SK海力士

三星组百人团队攻HBM,势要击败SK海力士
2024年05月07日 09:20 半导体行业观察

全球顶级存储芯片制造商三星电子成立高带宽存储芯片供应团队,以求与全球人工智能半导体联盟英伟达公司达成近亿美元的合约,并希望借此击败HBM市场领导者SK海力士公司。

约100名优秀工程师组成的工作组一直致力于提高制造良率和质量,解决问题的目标是通过Nvidia的测试,因为Nvidia支持黄仁勋要求韩国公司提高8层和12层HBM3E的良率和质量据首尔周一的行业消息人士称,芯片供应HBM3E 是业界性能最佳的 AI 应用 DRAM 芯片。

三星正集中于其 2 月份开发的全球 36 GB 12 层 HBM3E 型号,希望能够通过 Nvidia本月进行的质量测试。消息人士称,据报道,三星已经保证了生产线的安全,以增加良率满足英伟达的需求。12层HBM3E相比8层产品,AI学习速度平均提升34%。

一位消息人士表示:“三星的目标是通过对英伟达第二季度的供应快速增加,从而获得了更高的市场贡献。” “预计从该季度开始供应将加快。” 战略层面,全球大型存储芯片制造商SK海力士公司一直主导着全球HBM市场,市场占比超过90%。

“我们输掉了第一场战斗,但必须赢得第二场战斗,”管理这家科技巨头芯片业务的三星总裁兼首席执行官 Kyung Kye Hyun 表示。

SK海力士已经向Nvidia销售8层HBM3E,还向美国图形芯片设计商提供12层产品样品进行性能评估,从第三季度开始供货。SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-jung 表示:“不可能立即获得竞争优势。” “但我们不会自满。

这是三星和 SK 海力士首次竞争为单一客户(全球唯一的 HBM3E 客户 Nvidia)同时提供相同的产品。Nvidia 预计今年的订单价值将超过 10 万亿韩元(73 亿美元)。

业内消息人士称,这两家韩国竞争对手可能会赢得交易,但供应量将有所不同。

HBM 是一种高性能存储芯片,堆叠多个 DRAM,采用硅通孔 (TSV) 工艺垂直制造,是人工智能芯片处理大量数据的重要组成部分。

HBM 针对图形处理单元 (GPU) 进行了优化,它是 AI 加速器的大脑(一类专门的硬件加速器或计算机系统,旨在加速 AI 和机器学习应用程序),因为其带宽和存储容量大 10 倍以上比普通芯片。

下一代芯片是为客户量身定制的,因为其制造需要先进的技术。

它的日益普及改变了存储芯片行业的格局,该行业一直专注于通用产品。

全球球内存芯片行业开始开发 HBM,是因为 Nvidia 和 Advanced Micro Devices Inc. (AMD) 等游戏显卡制造商在 2010 年要求生产高带宽 DRAM 芯片。大量的像素数据来处理高清游戏,当时 GPU 的 DRAM 性能很弱。

2013年2月,SK海力士与AMD联手研究并在国际固态电路大会上推出了HBM。

2015年6月,AMD首席执行官苏姿丰在一次游戏活动中推出了另一种HBM。然而,其业绩不足以抵消高昂的生产费用。由于将 2.5D 封装方法应用于 TSV 工艺来连接 GPU 和 HBM,HBM 的价格几乎是图形双倍数据速率 (GDDR) 的三倍。这导致美国无晶圆厂芯片设计商放弃在显卡中添加 HBM。

然而,Nvidia 决定在服务器芯片上安装 HBM,因为该产品适合处理大量数据。这家占主导地位的人工智能加速器制造商在 2023 年占据了 97.2% 的市场份额,并于 2016 年为其 Tesla P100 数据中心加速器配备了 HBM2。

此举并没有扩大 HBM 市场,该市场仅占全球 DRAM 总销售额的 5%,因为人工智能加速器的需求仍然疲软。

自 2022 年 ChatGPT 等生成式人工智能出现以来,HBM 市场一直在显着增长,这促使全球大型科技公司争相投资该领域。

SK海力士是主要受益者,因为该公司是唯一一家能够生产HBM3的芯片制造商,第四代产品的带宽为每秒819 GB,是第一代HBM 128 GB的6.4倍。韩国公司占据了全球 HBM3 市场 90% 以上的份额,而三星因 2019 年停止开发 HBM 而未能分享这一繁荣。

据报道,HBM3 的价格是普通 DRAM 的五倍以上,其利润率50%左右。

得益于下一代产品,SK海力士第一季度营业利润达到2.9万亿韩元,远超三星的1.9万亿韩元。

这家总部位于韩国水原的公司最近开始大规模生产 HBM3,但短期内打破 Nvidia 和 SK 海力士之间的合作并不容易。

三星准备通过其 12 层 HBM3E 与 SK Hynix 抗衡,该芯片很可能用于 Nvidia 的下一代 AI 加速器,例如 B200 和 GB200。

B200需要8个8层HBM3E,而之前的H100和H200分别配备4个HBM3和6个HBM3E。B200和GB200的升级版本预计需要超过8个12层HBM3E。

预计今年这一数字将从 2023 年的 44 亿美元增加近四倍,达到 169 亿美元。到 2030 年,该市场可能会进一步增长。

据报道,英伟达首席执行官黄仁勋已要求三星和SK海力士加快供货速度,加剧竞争。

业内消息人士称,这可能为三星提供在 HBM 市场击败 SK 海力士的机会,但也为 SK 海力士保住王座提供了机会。

参考链接

https://www.kedglobal.com/korean-chipmakers/newsView/ked202405060002

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