10月14日，界面新闻获悉，铭芯启睿（MemSilicon）近日宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构，单芯片容量达1Gb，存储密度为30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。据悉，1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元，以提高存储密度。
10月14日，界面新闻获悉，铭芯启睿（MemSilicon）近日宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构，单芯片容量达1Gb，存储密度为30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。据悉，1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元，以提高存储密度。
