近日,山东大学岳创未来团队在半导体领域的科研成果再次引起广泛关注。该团队在栅氧技术上取得了重大突破,为半导体器件的性能提升和可靠性增强提供了新的解决方案。
Trench MOSFET作为一种新型功率半导体器件,以其低导通损耗、高工作频率和电压控制型器件等优势,在电力电子领域得到了广泛应用。然而,随着应用需求的不断提升,传统的trench MOSFET栅氧技术已经难以满足高性能、高可靠性的要求。因此,研发新型的栅氧技术,成为推动trench MOSFET性能提升的关键。
SiC 是第三代宽禁带半导体材料,在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度等 物理特性上较 Si 更有优势,制备的 SiC 器件如二极管、晶体管和功率模块具有 更优异的电气特性,能够克服硅基无法满足高功率、高压、高频、高温等应用要 求的缺陷,也是能够超越摩尔定律的突破路径之一,因此被广泛应用于新能源领 域(光伏、储能、充电桩、电动车等)。
(SiC晶圆)
山东大学岳创未来团队针对这一技术难题,经过数年的深入研究和探索,成功研发出了一种新型的栅氧技术。该技术采用先进的纳米材料和精密的制造工艺,通过优化栅氧层的结构设计和制造工艺,显著提高了的性能和可靠性。
(SiC-SiO2 TEM实拍)
据团队负责人介绍,新型栅氧技术的主要优势在于其独特的结构和制造工艺。首先,该技术采用了高纯度的纳米材料作为栅氧层的主要成分,通过精细控制材料的制备过程,实现了栅氧层的高纯度、高均匀性和高稳定性。其次,该技术采用了先进的制造工艺,通过精确控制栅氧层的生长和退火过程,有效减少了栅氧层中的缺陷和杂质,提高了栅氧层的质量和可靠性。
(Trench MOSFET 截面图)
新型栅氧技术的应用,使得Trench MOSFET的性能得到了显著提升。首先,由于栅氧层质量的提高,其导通电阻明显降低,开关速度显著提升,从而实现了更高的能效比和更快的响应速度。其次,新型栅氧技术还提高MOSFET的耐压能力和可靠性,使得器件在高压、高温等恶劣环境下仍能保持稳定的性能。
业内专家表示,山东大学岳创未来团队在T栅氧技术上的突破,不仅提升了我国在半导体科技领域的国际地位,也为全球半导体产业的发展带来了新的机遇。该技术的成功应用,将有力推动Trench MOSFET在电力电子、新能源汽车、智能电网等领域的广泛应用,为相关产业的发展注入新的动力。
展望未来,山东大学岳创未来团队将继续深耕半导体科技领域,不断探索新的技术路径和应用场景。他们表示,将进一步加强与国内外科研机构和企业的合作与交流,共同推动半导体科技的进步和产业的发展。同时,他们也将继续关注市场需求和技术发展趋势,不断推出更加先进、可靠的半导体器件产品,为人类社会的进步和发展做出更大的贡献。
