你不卖给我光刻机?我就用新技术去打破你的束缚。面对ASML的垄断,中芯国际还真的憋出了一项令人振奋的技术。中芯国际宣布在 2020 年底将量产 N+1(7 纳米),成本较目前市场上 7 纳米低 10%,确实被“火灾”推迟卖给中芯国际7nm EUV光刻机之后,这项技术到底有什么魔力呢?
了解下,什么是n+1制程!
我们知道,根据晶圆代工的工艺规划,在代工节点中,会有至少2+个制程,而N+1实际上就是中芯国际的一种新技术制程。并且这种工艺制程的优势是,N+1 制程与中芯国际 14 纳米制程比较,它的效能增加 20%、功耗减少 57%、逻辑面积减少 63%、SoC 面积减少 55%。
除了14nm,中芯国际提供的第一代FinFET还包括12nm,相比14nm晶体管尺寸进一步缩微,功耗降低20%、性能提升10%,错误率降低20%。目前中芯国际正在就12nm与同一批14nm客户就行合作。
其实,n+1制程就是一种制程计划,它其实就是为了在不断优化第一代FinFET工艺,我们已经在描述中知道,FinFETN+1制程对标竞争对手7nm产品,但是它的性能稍逊色,却在成本、能耗方面可相抗衡。未来也将适用于5G、物联网大部分的芯片要求。不过,你得知道,并不是说n+1不需要光刻机,而是因为它只是不需要使用最新的ASML得7nm EUV而已。
n+1制程后的发展
其实,中芯国际的梁孟松说,不仅仅有N+1,还有N+2,N+1和N+2的差异仅在于成本。而且,对于N+1和N+2,不会使用EUV方案。当EUV准备就绪时,N+2的部分层将会使用EUV,这说明了未来中芯还是需要引进7nm EUV光刻机。
我们知道,中芯目前在14nm工艺中表现非常出众,据财报显示:2019年Q4第一代14nmFinFET产能达到3000片/月,贡献总收入1%,体现公司14nm生产良率较好。
但是,我们还是要看到,在国际社会,基于5nm的X60高通5G基带已经发布,今年很可能会有不少企业推出5nm的芯片,台积电、三星等等都在不断追逐,中芯在这方面还是有不短的一条路需要走。n+1方案,说到底是憋出来的技术方案,我们更寄希望于我国自己的,不弱于世界的光刻机的出现。


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