格芯最先进FinFET工艺12LP+大功告成:性能增加20%

格芯最先进FinFET工艺12LP+大功告成:性能增加20%
2020年07月02日 18:48 芯智讯

虽然几年前格芯(Globalfoundries)已经放弃了对于10nm以下先进制程的研发投入,同时还积极削减投资,出售一些晶圆厂。不过,对于现有的工艺,格芯也还是有在持续优化。

近日,格芯宣布其最先进的FinFET制程工艺12LP+大功告成,并准备正式投产。按照格芯的说法,12LP+相较于12LP,性能增加了20%、规模面积减少了10%。这些指标的提升,主要得益于性能驱动的区块优化组件、独立鳍片单元、新的低压SRAM和改进的模拟布局设计法则等。

目前,12LP+已经在AI训练芯片领域通过了IP验证,可减少生产成本、创造更大价值。

另外,格芯也在丰富12nmLP+的IP组合包,目标包括PCIe 3/4/5、USB 2/3主控芯片、HBM2/2e显存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等。

据悉,12nmLP+将主要在美国纽约州Malta的Fab8工厂生产,下半年内会有不止一套方案流片。

编辑:芯智讯-林子    来源:快科技

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