为对抗三星、SK 海力士,传日本铠侠将砸1182亿新建3D NAND Flash厂

为对抗三星、SK 海力士,传日本铠侠将砸1182亿新建3D NAND Flash厂
2021年05月12日 17:28 芯智讯

5月12日消息,据日媒工业新闻报导,为了应对{cc1c4b62dffc307c1f2SKNANDFlash日元3d57ba91389d0}、 海力士等对手,以及云服务、5G带来的 需求激增,传闻铠侠(Kioxia,前东芝半导体)计划在日本岩手县北上市工厂兴建3D NAND Flash新厂房,总投资额预估高达2兆(约合人民币1182亿元)。

报导指出,铠侠计划在北上工厂新设的第二厂房K2大小预估将达2020上半年开始进行生产的第一厂房K1的2倍。铠侠目前已对邻近K1东侧及北侧约15万平方公尺的土地进行整地工程,且也正协商有意取得邻近K1东南侧的土地,K2预计2022年春天动工兴建,2023年春天左右完工,数个月后开始生产3D NAND Flash。

据报导,K2所需的生产设备主要将从四日市工厂转移过来,因此总额2兆日元的投资,除了含K2厂房、附带设施,也含设备补充四日市工厂的费用。对K2生产设备投资照旧,会和合作伙伴西部数据(Western Digital,WD)共同负担。

报导指出,因产品市况尚未恢复,因此铠侠IPO(首次公开发行)计划将较原先规划推延,最快将等到2021年夏天以后。

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