浙江省半导体项目丨入选“千项万亿”工程重大建设项目

浙江省半导体项目丨入选“千项万亿”工程重大建设项目
2024年07月05日 11:44 芯智讯

浙江省近期半导体项目公示信息

01

半导体光罩产业项目

项目名称半导体光罩产业项目
建设单位兴华芯(绍兴)半导体科技有限公司
建设性质新建(迁建)
投资总额(万美元)71506  (美元/人民币汇率:7)
施工工期24 个月
建设地点浙江省绍兴市柯桥区钱清街道钱清村
项目主要设备曝光机、烘烤机、蚀刻机、显影机、光阻涂布机、清洗机等

项目概况

本项目依托“中国半导体之父”张博士的技术支撑,于杭绍临空经济一体化发展示范区绍兴片区(绍兴市柯桥区钱清街道钱清村)新增土地,新增建筑面积4.84 万平方米,购置曝光机、烘烤机、蚀刻机、显影机、光阻涂布机、清洗机等设备,年生产光罩 36000 片。

建设单位联系人:陈*

联系电话:0575-841*****   198*******

02

2 英寸碳化硅 MOSFET功率芯片生产线项目

项目名称2 英寸碳化硅 MOSFET功率芯片生产线项目
建设单位浙江芯科半导体有限公司
建设性质新建(迁建)
投资总额100000万元
施工工期24 个月
建设地点杭州市富阳区富春湾新城
项目主要设备酸洗、去胶清洗、光刻、刻蚀等设备

项目概况

浙江芯科半导体有限公司总投资 100000 万元,新征建设用地 38.81 亩,新增研发、测试及制造厂房等地上建筑面积 65715.57m2,新增地下建筑面积 3628.8m2,项目为计算机、通信和其他电子设备研发制造外延制备实验室和工艺共性平台,用于研发及生产 2 英寸碳化硅 MOSFET 功率芯片产品,项目建成后达到年产 10 万片 2英寸碳化硅 MOSFET 功率芯片的生产规模。

联系电话:173****7211   1766*****8*

03

6英寸半导体特色工艺研发及产业化项目

项目名称6英寸半导体特色工艺研发及产业化项目
建设单位浙江芯晟半导体科技有限责任公司
投资总额317698万元
建设单位浙江省嘉兴市南湖区科技城,东至永业路,南至新大公路,西至兴业路,北至驰骋路
项目主要设备光刻机、涂胶显影机、湿法刻蚀机、溅射机、PECVD、扩散炉等

项目概况

项目总投资317698万元,租用大桥镇新大路 232号67651.32厂房,购置光刻机、涂胶显影机、干法刻蚀机、湿法刻蚀机、离子注入、溅射机、PECVD、扩散炉等设备,形成年产64万片6英寸功率器件特色半导体的生产能力。

建设单位联系人:陈**

联系电话:0573-8258****    15*********

04

年产1.6亿条引线框架生产项目

项目名称年产1.6亿条引线框架生产项目
建设单位浙江宏丰半导体新材料有限公司
建设性质新建
投资总额65025万元
建设单位海盐县浙江省海盐经济开发区,海鸥路西侧,中乐路南侧
项目主要设备卷式自动清洗线、卷式自动贴膜机、卷式显影蚀刻退膜机、各类电镀生产线等国产设备

项目概况

建设单位已拍土地33248平方米,新建标准厂房、宿舍楼等建筑面积约76941.84平方米(厂房建设项目另行备案实施,本项目不再涉及),采用引线框架铜带、氰化银、氰化银钾等原材料,经前清洗、压膜、曝光、显影蚀刻、电镀、分切、后处理、检测等技术或工艺,购置卷式自动清洗线、卷式自动贴膜机、卷式显影蚀刻退膜机、各类电镀生产线等国产设备;项目建成后,形成年产1.6亿条引线框架的生产能力。本项目电镀生产线仅用于对企业自身产品加工生产,不对外加工。

建设单位联系人:熊*

联系电话:186****0388  139*****4**

05

集成电路用半导体大硅片扩建项目

项目名称碳化硅 MOS 芯片制造一期项目
建设单位芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
建设性质扩建
投资总额96100万元
建设地点浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路 518 号

项目概况

本项目将租用芯联集成现有已建A2模组生产厂房闲置区域,建设一条月产0.5万片的6/8英寸兼容碳化硅MOS芯片制造生产线,先形成6英寸碳化硅MOS规模化制造及技术的持续研发和产品积累,待国内8英寸碳化硅衬底片和外延片具备批量供应能力后,快速切换到8英寸,以实现碳化硅MOS产业化制造6英寸向8英寸快速转移,本项目建成后将形成6/8英寸碳化硅晶圆6万片/年的生产规模。

联系电话:0575-880*****  1891683****

集成电路生产工艺简化流程图

06

新建碳化硅封测建设项目

项目名称新建碳化硅封测建设项目
建设单位浙江瀚薪芯昊半导体有限公司
建设性质新建(迁建)
投资总额44150万元
施工工期16个月
建设地点浙江莲都经济开发区高溪区块黄塘窑周边 A2-2 地块及 A2-2 边角地块
项目主要设备清洗机、键合机、切割机、固化机等

项目概况

拟在该地块建设标准生产厂房及配套设施,并购置碳化硅功率模块生产线、碳化硅分立器件生产线等半导体封装设备,实施新建碳化硅封测建设项目。

建设单位联系人:谢**

联系电话:131****1893

碳化硅功率模块生产工艺流程

07

集成电路用半导体大硅片扩建项目

项目名称义乌亚芯微电子有限公司集成电路封装测试基地项目
建设单位义乌亚芯微电子有限公司
建设性质新建(迁建)
投资总额100000万元
施工工期24个月
建设地点武德路与天宝路交叉口西北侧地块二
项目主要设备去胶清洗机、晶圆减薄机、切割机等

项目概况

企业投资10亿元,新建生产厂房,总建筑面积1.448万平方米。项目引进集成电路封装测试生产线,同时配置空压机、冷水机组等辅助配套设施,新增就业人1000余人,年开工300天,三班制生产,主要从事传感器、存储器、CPU等器件的封装和测试。形成年产100亿片集成电路的封装测试生产规模。

建设单位联系人:沈*

联系电话:0573-8701****  138******89

08

产600万片半导体功率器件用DPC陶瓷基板技改项目

项目名称年产600万片半导体功率器件用DPC陶瓷基板技改项目
建设单位金华市芯瓷科技有限公司
建设性质新建(迁建)
投资总额60000万元
施工工期6个月
建设地点金华市金东区江东镇金狮路828号
项目主要设备微蚀清洗线、全板电镀清洗线、镀膜清洗线等

项目概况

企业拟投资60000万元,租用位于金华金东区江东镇金狮路828号天迈控股股份有限公司现有闲置厂房,引进DPC直接镀铜生产线,从事陶瓷线路基板的生产加工,建成后可形成年产600万片半导体功率器件用DPC陶瓷基板的生产能力。

建设单位联系人:林**

联系电话:139****7422  

项目总体工艺流程图

09

半导体基板 300 万片生产建设项目

项目名称

年产超瓷晶手机屏组件 1700 万片及半导体基板 300 万片生产建设项目

建设单位浙江百盛光电股份有限公司
建设性质扩建
投资总额19000 万元
建设地点浙江省嘉兴市南湖区余新镇姜贤路 385 号
项目主要设备多线切割机、研磨机、抛光机、多槽清洗机等

项目概况

项目不新增土地,利用姜贤路 385 号内公司厂房一面积 2950 平方米。项目拟采购高端研磨机、新型全自动抛光机、高速多线切割机等设备,项目达产后实现年产超瓷晶手机屏组件 1700 万片和半导体基板 300 万片。

建设单位联系人:*叶文

联系电话:138****9640   13586******   0573-833*****

项目主要生产工艺流程

10

FCBGA 封装基板项目

项目名称科睿斯半导体科技 ( 东阳 ) 有限公司FCBGA 封装基板项目
建设单位科睿斯半导体科技(东阳)有限公司
建设性质新建(迁建)
投资总额501215万元
施工工期60 个月
建设地点

浙江省金华市东阳市东阳经济开发区

项目主要设备垂直电镀主体、去膜蚀刻、显影等

项目概况

本项目分三期建设,一期建设内容为 1#厂房、宿舍一、废水和废液处理设施、危化品库、危废库等,年产 18.72 万片 FCBGA 高端载板的生产及配套设施;二期建设内容为研发楼、年产 9.36 万片 FCBGA 高端载板的生产及配套设施;三期建设内容为 2#厂房、年产 28.08 万片 FCBGA 高端载板的生产及配套设施。

建设单位联系人:*永斌

联系电话:152****6916    13915******    0579-866*****

本项目 FCBGA 封装基板项目工艺流程

11

半导体高功率元器件生产和研发二期扩产项目

项目名称半导体高功率元器件生产和研发二期扩产项目
建设单位浙江精瓷半导体有限责任公司
建设性质扩建
投资总额55000万元
施工工期12 个月
建设地点浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区杭平路12号 
项目主要设备

有氮化铝预氧化炉(进口),烧结炉(国产)、真空溅镀线(国产)、填孔电镀线(国产)、激光切割机(国产)等设备

项目概况

企业租赁海宁经济开发区海宁宏厦装饰新材料科技有限公司厂房 50000 平方米,总投资 55000 万元,引进氮化铝预氧化炉(进口),烧结炉(国产)、真空溅镀线(国产)、填孔电镀线(国产)、激光切割机(国产)等设备。投产后形成年产双面氧化铝覆铜陶瓷基板 1680 万片、单面氧化铝覆铜陶瓷基板1560 万片、氮化铝覆铜陶瓷基板 240 万片、高附加值氮化铝覆铜陶瓷基板 6 万片、铜板(副产)356.18 吨的生产能力。

联系电话:0573-873*****   186****3789   139****04**

12

年产60万套IGBTHPD及5万套SiC功率模块技改项目

项目名称杭州余杭浙江晶能微电子有限公司一期工厂年产60万套IGBTHPD及5万套SiC功率模块技改项目
建设单位浙江晶能微电子有限公司
建设性质新建
投资总额31355.61万元
施工工期5个月
建设地点余杭区仁和街道临港路15号乐坤杭州国际产业园
项目主要设备贴片机、铝线建和设备、划片机等

项目概况

本次一期工厂项目总投资 31355.61 万元,建设两条 IGBTHPD 生产线和一条SiC生产线,年产 60 万套 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)HPD 功率模块和5 万套SiC功率模块。

联系电话:18768******    1881*****37

项目IGBTHPD模块工艺流程及产污环节图

来源:华林科纳

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